1996
Structural characterization of reactive ion-etched semicond uctor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping
BAUER, G., A. DARHUBER a Václav HOLÝZákladní údaje
Originální název
Structural characterization of reactive ion-etched semicond uctor nanostructures using x-ray reciprocal space mapping
Autoři
BAUER, G., A. DARHUBER a Václav HOLÝ
Vydání
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1996
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/96:00000410
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Změněno: 20. 3. 2000 07:14, prof. RNDr. Václav Holý, CSc.
Návaznosti
| MSM 143100002, záměr |
|