HOLÝ, Václav. Elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots studied by high resolution. X-ray diffraction. Solid - State Electronics. 1996, roč. 40(1996), 1-8, s. 373-377.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots studied by high resolution. X-ray diffraction
Autoři HOLÝ, Václav.
Vydání Solid - State Electronics, 1996.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Velká Británie a Severní Irsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/96:00000414
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 20. 3. 2000 06:57.
Návaznosti
MSM 143100002, záměrNázev: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
VytisknoutZobrazeno: 18. 7. 2024 06:10