J 1997

Strain relaxation in high electron mobility Si 1-x Ge x/Si structures

LI, J.H. a Václav HOLÝ

Základní údaje

Originální název

Strain relaxation in high electron mobility Si 1-x Ge x/Si structures

Autoři

LI, J.H. a Václav HOLÝ

Vydání

J. Appl. Phys. 1997, 0021-8979

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.630

Kód RIV

RIV/00216224:14310/97:00000552

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta
Změněno: 20. 3. 2000 07:08, prof. RNDr. Václav Holý, CSc.

Návaznosti

MSM 143100002, záměr
Název: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur