1997
Strain relaxation in high electron mobility Si 1-x Ge x/Si structures
LI, J.H. a Václav HOLÝZákladní údaje
Originální název
Strain relaxation in high electron mobility Si 1-x Ge x/Si structures
Autoři
LI, J.H. a Václav HOLÝ
Vydání
J. Appl. Phys. 1997, 0021-8979
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 1.630
Kód RIV
RIV/00216224:14310/97:00000552
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Změněno: 20. 3. 2000 07:08, prof. RNDr. Václav Holý, CSc.
Návaznosti
MSM 143100002, záměr |
|