STANGL, Julian, Anke HESSE, Tomáš ROCH a Václav HOLÝ. Structural investigation of semiconductor nanostructures by x-ray techniques. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A. 2002, roč. 200, č. 1, s. 11-23. ISSN 0168-9002.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Structural investigation of semiconductor nanostructures by x-ray techniques
Autoři STANGL, Julian (40 Rakousko), Anke HESSE (276 Německo), Tomáš ROCH (703 Slovensko) a Václav HOLÝ (203 Česká republika, garant).
Vydání Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A, 2002, 0168-9002.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.167
Kód RIV RIV/00216224:14310/02:00007678
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky Structural investigation of semiconductor nanostructures by x-ray techniques
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 12. 2. 2007 14:17.
Anotace
Structural investigation of semiconductor nanostructures by x-ray techniques
Návaznosti
GA202/00/0354, projekt VaVNázev: Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
Investor: Grantová agentura ČR, Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
MSM 143100002, záměrNázev: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
VytisknoutZobrazeno: 30. 6. 2024 19:17