HOLÝ, Václav, A.A. DARHUBER, J. STANGL, G. BAUER, J. NUTZEL a G. ABSTREITER. X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers. Online. Semicond. Sci. Technol. UK: Publishing Ltd, 1998, roč. 13(1998), -, s. 590-598. ISSN 0268-1242. [citováno 2024-04-24]
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název X-ray reflectivity investigations of the interface morphology in strained SiGe/Si multilayers
Autoři HOLÝ, Václav, A.A. DARHUBER, J. STANGL, G. BAUER, J. NUTZEL a G. ABSTREITER
Vydání Semicond. Sci. Technol. UK, Publishing Ltd, 1998, 0268-1242.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Velká Británie a Severní Irsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.338
Kód RIV RIV/00216224:14310/98:00000030
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000074143200008
Klíčová slova anglicky x-ray
Štítky x-ray
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 18. 4. 2000 10:19.
Návaznosti
GA202/97/0003, projekt VaVNázev: Morfologie rozhraní heteroepitaxních multivrstev
Investor: Grantová agentura ČR, Morfologie rozhraní heteroepitaxních multivrstev
VytisknoutZobrazeno: 24. 4. 2024 06:37