ZHONG, Z., V. HOLY a J.H. LI. X-ray study of antiphase boundaries in the quadruple-period ordered GaAs0.87Sb0.13 alloy. Journal of Applied Physics. USA: American institute of physics, 2001, roč. 90, č. 2, s. 644-649. ISSN 0021-8979.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název X-ray study of antiphase boundaries in the quadruple-period ordered GaAs0.87Sb0.13 alloy
Autoři ZHONG, Z., V. HOLY a J.H. LI.
Vydání Journal of Applied Physics, USA, American institute of physics, 2001, 0021-8979.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 2.128
Kód RIV RIV/00216224:14310/01:00005195
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000169660000014
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 16. 1. 2002 08:37.
Anotace
X-ray study of antiphase boundaries in the quadruple-period ordered GaAs0.87Sb0.13 alloy
Návaznosti
GA202/00/0354, projekt VaVNázev: Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
Investor: Grantová agentura ČR, Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
VS96102, projekt VaVNázev: Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur
VytisknoutZobrazeno: 19. 9. 2024 17:30