KANG, H.H., G. SPRINGHOLZ, V. HOLY a G. BAUER. TEM investigation of self-organized PbSe quantum dots as a function of spacer layer thickness and growth temperature. Materials Science and Engineering. Lausanne: ELSEVIER SCIENCE SA, 2001, roč. 80, 1-3, s. 104-108. ISSN 0921-5107.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název TEM investigation of self-organized PbSe quantum dots as a function of spacer layer thickness and growth temperature
Autoři KANG, H.H., G. SPRINGHOLZ, V. HOLY a G. BAUER.
Vydání Materials Science and Engineering, Lausanne, ELSEVIER SCIENCE SA, 2001, 0921-5107.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.022
Kód RIV RIV/00216224:14310/01:00005201
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000168260800024
Klíčová slova anglicky ISLANDS; SUPERLATTICES; STRAIN; GAAS
Štítky GAAS, ISLANDS, STRAIN, SUPERLATTICES
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 16. 1. 2002 08:32.
Anotace
PbSe quantum dot/PbEuTe superlattices were grown on PbTe/BaF2(111) using molecular beam epitaxy. The spacer thickness was varied From 32.4 to 312 nm and the growth temperature was 335 or 380 degreesC. Three different dot stacking sequences form with either vertical, face-centered cubic like or disordered stacking sequence along the [111] growth direction. The different stacking sequence can be controlled by the thickness of the spacer layer and the growth temperature, The dots are fully strained and the shape of the dots is either triangular pyramids or dome like depending on the spacer layer thickness. An analysis of the lateral and vertical correlation of the dots as well as the size and shape of the buried dots with respect to spacer thickness and growth temperature is presented.
Návaznosti
GA202/00/0354, projekt VaVNázev: Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
Investor: Grantová agentura ČR, Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
VS96102, projekt VaVNázev: Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur
VytisknoutZobrazeno: 24. 4. 2024 20:19