MEDUŇA, Mojmír, Václav HOLÝ a T. ROCH. X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy. Journal of Applied Physics. USA: American institute of physics, 2001, roč. 89, č. 9, s. 4836-4842. ISSN 0021-8979.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy
Autoři MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant), Václav HOLÝ (203 Česká republika) a T. ROCH.
Vydání Journal of Applied Physics, USA, American institute of physics, 2001, 0021-8979.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Česká republika
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 2.128
Kód RIV RIV/00216224:14310/01:00005203
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000168130100025
Klíčová slova anglicky SI(001) SURFACES; GE ISLANDS; SCATTERING; GROWTH; SUPERLATTICES
Štítky GE ISLANDS, growth, SCATTERING, SI(001) SURFACES, SUPERLATTICES
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D., učo 7898. Změněno: 14. 2. 2007 09:49.
Anotace
We have studied the interface morphology of SiGe/Si multilayers by means of specular and nonspecular x-ray reflectivity under grazing incidence. The samples were grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates with (001) surface orientation and with different directions of the surface misorientation. X-ray reflectivity measurements in different azimuths are compared to data from atomic force microscopy, which are used to simulate the x-ray experiments. With this combination of experimental techniques we have determined the structural properties, in particular the ordering of different features present at the sample surface and inside the multilayer at the SiGe/Si layer interfaces.
Návaznosti
GA202/00/0354, projekt VaVNázev: Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
Investor: Grantová agentura ČR, Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
VS96102, projekt VaVNázev: Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur
VytisknoutZobrazeno: 25. 4. 2024 02:57