HOLÝ, Václav. Effect of overgrowth temperature on shape, strain, and composition of buried Ge islands deduced from x-ray diffraction. Applied Physics Letters. USA: American Institute of Physics, 2003, roč. 82, č. 11, s. 2251-2253. ISSN 0003-6951.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Effect of overgrowth temperature on shape, strain, and composition of buried Ge islands deduced from x-ray diffraction
Autoři HOLÝ, Václav (203 Česká republika, garant).
Vydání Applied Physics Letters, USA, American Institute of Physics, 2003, 0003-6951.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 4.049
Kód RIV RIV/00216224:14310/03:00008491
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000182018800019
Klíčová slova anglicky Effect of overgrowth temperature on shape; strain; and composition of buried Ge islands deduced from x-ray diffraction
Štítky STRAIN
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 12. 2. 2007 14:17.
Anotace
Effect of overgrowth temperature on shape, strain, and composition of buried Ge islands deduced from x-ray diffraction
Návaznosti
GA202/03/0148, projekt VaVNázev: Anomální rozptyl rtg záření na polovodičových nanostrukturách
Investor: Grantová agentura ČR, Anomální rozptyl rtg záření na polovodičových nanostrukturách
MSM 143100002, záměrNázev: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
VytisknoutZobrazeno: 11. 5. 2024 01:19