HOLÝ, Václav. Shape and composition change of Ge dots due to Si capping. Applied Surface Science. USA: ELSEVIER (NORTH-HOLLAND), roč. 224, č. 2, s. 139-142. ISSN 0169-4332. 2004.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Shape and composition change of Ge dots due to Si capping
Název česky Změna tvaru a chemického složení Ge kvantových teček
Autoři HOLÝ, Václav (203 Česká republika, garant).
Vydání Applied Surface Science, USA, ELSEVIER (NORTH-HOLLAND), 2004, 0169-4332.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.497
Kód RIV RIV/00216224:14310/04:00019755
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000189273900029
Klíčová slova anglicky Shape and composition change of Ge dots due to Si capping
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 12. 2. 2007 14:17.
Anotace
Shape and composition change of Ge dots due to Si capping
Anotace česky
Změna tvaru a chemického složení Ge kvantových teček
Návaznosti
GA202/03/0148, projekt VaVNázev: Anomální rozptyl rtg záření na polovodičových nanostrukturách
Investor: Grantová agentura ČR, Anomální rozptyl rtg záření na polovodičových nanostrukturách
MSM 143100002, záměrNázev: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
VytisknoutZobrazeno: 18. 4. 2024 10:12