KLAPETEK, Petr, Ivan OHLÍDAL a Karel NAVRÁTIL. Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation. Microchimica Acta. Wien: Springer-Verlag, roč. 147, č. 3, s. 175-180. ISSN 0026-3672. 2004.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation
Název česky Analýza statistické drsnosti povrchů GaAs vzniklých termickou oxidací pomocí mikroskopie atomové síly
Autoři KLAPETEK, Petr (203 Česká republika), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, garant) a Karel NAVRÁTIL (203 Česká republika).
Vydání Microchimica Acta, Wien, Springer-Verlag, 2004, 0026-3672.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Rakousko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.050 v roce 2001
Kód RIV RIV/00216224:14310/04:00011769
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000222214000008
Klíčová slova anglicky THIN-FILMS; OPTICAL-PROPERTIES; OXIDE FILM; TIO2; BOUNDARIES; INTERFACE; SINGLE; LAYERS
Štítky boundaries, interface, LAYERS, OPTICAL-PROPERTIES, OXIDE FILM, single, THIN-FILMS, TIO2
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: doc. RNDr. Karel Navrátil, CSc., učo 1646. Změněno: 13. 2. 2007 16:28.
Anotace
We have determined the important statistical quantities of the rough boundary between a GaAs single crystal and its oxide film formed by thermal oxidation. Thermal oxidation of the GaAs surfaces was performed at the temperature of 500 degreesC. Using mathematical procedures developed for treating AFM data consisting of a family of the values of the heights of the irregularities of this roughness the values of the important statistical quantities of roughness were determined for 11 samples of the GaAs surfaces created by dissolution of the thermal oxide films originated during thermal oxidation of the smooth GaAs samples (the times of oxidation of these 11 samples were within interval of 20 min-8 hours). From the AFM analysis of the roughness of GaAs surfaces it was found that the roughnening of these surfaces was the most pronounced for shorter oxidation times, i.e. for times smaller than about 2 hours.
Anotace česky
Určili jsme významné statistické veličiny drsných povrchů monokrystalů GaAs vzniklých termickou oxidací. Termická oxidace těchto povrchů byla provedena při teplotě 500 C. Pomocí matematického postupu vyvinutého pro zpracování dat mikroskopie atomové síly byly určeny hodnoty významných statistických veličin zpracováním množiny hodnot výšek nerovností pro 11 vzorků povrchů GaAs připravených rozpuštěním vrstev termických oxidů vzniklých hladkých povrchů GaAs pro různé oxidační časy (interval oxidačních časů byl 20 minut až 8 hodin). Z analýzy provedené mikroskopií atomové síly jsme zjistili, že drsnost povrchů GaAs je výrazná pro kratší oxidační časy, tj. pro časy menší nebo okolo 2 hodin.
Návaznosti
GA101/01/1104, projekt VaVNázev: Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie
Investor: Grantová agentura ČR, Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie
GA202/01/1110, projekt VaVNázev: Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou
Investor: Grantová agentura ČR, Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou
MSM 143100002, záměrNázev: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
VytisknoutZobrazeno: 29. 3. 2024 09:04