HOLÝ, Václav a Stanislav DANIŠ. Diffuse X-ray scattering from GaN/SiC (0001) thin films. Zeitschrift für Kristallographie. 2006, roč. 141-146, č. 1, s. 23-27. ISSN 0044-2968.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Diffuse X-ray scattering from GaN/SiC (0001) thin films
Název česky Difúzní rtg rozptyl na tenkých vrstvách GaN/SiC
Autoři HOLÝ, Václav (203 Česká republika, garant) a Stanislav DANIŠ (203 Česká republika).
Vydání Zeitschrift für Kristallographie, 2006, 0044-2968.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Německo
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.897
Kód RIV RIV/00216224:14310/06:00018331
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000238607800025
Klíčová slova anglicky Diffuse X-ray scattering from GaN/SiC (0001) thin films
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 12. 2. 2007 14:17.
Anotace
Diffuse X-ray scattering from GaN/SiC (0001) thin films
Anotace česky
Difúzní rtg rozptyl na tenkých vrstvách GaN/SiC
Návaznosti
MSM0021620834, záměrNázev: Fyzika kondenzované fáze: nové materiály a technologie
VytisknoutZobrazeno: 26. 4. 2024 15:56