HOLÝ, Václav, Till H. METZGER a Luciana CAPELLO. Structural properties of ultra-low-energy ion-implanted silicon studied by combined X-ray scattering methods. Journal of Applied Crystallography. 2006, roč. 39, č. 2, s. 571-581. ISSN 0021-8898.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Structural properties of ultra-low-energy ion-implanted silicon studied by combined X-ray scattering methods
Název česky Strukturní vlastnosti křemíku po nízkoenergetické implantaci
Autoři HOLÝ, Václav (203 Česká republika, garant), Till H. METZGER (276 Německo) a Luciana CAPELLO (380 Itálie).
Vydání Journal of Applied Crystallography, 2006, 0021-8898.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Nizozemské království
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 2.495
Kód RIV RIV/00216224:14310/06:00018332
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000239147800013
Klíčová slova anglicky Structural properties of ultra-low-energy ion-implanted silicon studied by combined X-ray scattering methods
Změnil Změnil: prof. RNDr. Václav Holý, CSc., učo 1656. Změněno: 12. 2. 2007 14:17.
Anotace
Structural properties of ultra-low-energy ion-implanted silicon studied by combined X-ray scattering methods
Anotace česky
Strukturní vlastnosti křemíku po nízkoenergetické implantaci
Návaznosti
MSM0021620834, záměrNázev: Fyzika kondenzované fáze: nové materiály a technologie
VytisknoutZobrazeno: 22. 9. 2024 03:47