Ústav fyziky kondenzovaných látek (ÚFKL)
Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Brno
http://www.physics.muni.cz/ufkl
PRAKTIKUM Z FYZIKY PEVNÝCH LÁTEK A Z ELEKTRONIKY – F6390 a F6270
Úloha: Základy práce v čistých prostorách a principy fotolitografie
jarní a podzimní semestr 2009
Autor návodů: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D. Verze návodů: 7. prosince 2009
Vyučující: doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D.
Technická asistence: ing. Milan Kučera (přístrojové vybavení) a ing. Stanislav Valenda (chemické procesy)
Obsah
1. Úvod 3
1.1. Křemíkové desky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2. Čisté prostory 5
2.1. Čistota a bezprašnost laboratoře . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2. Čistota a bezprašnost médií . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3. Fotolitografie 7
3.1. Principy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.2. Postup práce . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.3. Smytí fotorezistu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4. Měření tloušťky propustných vrstev 8
4.1. Teorie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.2. Měření . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.3. Úkoly . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
5. Organizace praktika 9
5.1. Organizační poznámky k praktiku . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
5.2. Vstup do čistých prostor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
5.3. Další poznámky pro udržení čistoty a zabránění kontaminace . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
5.4. Bezpečnost práce v čistých prostorách . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
5.5. Poznámky k vypracování protokolu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Praktikum v čistých prostorách – základy a principy (návody ze 7. prosince 2009) 2
Anotace
Tento návod obsahuje text pro praktikum v Laboratoři polovodičů – čistých prostorách pro křemíkovou
technologii na Ústavu fyziky kondenzovaných látek na přírodovědecké fakultě Masarykovy univerzity.1 Podle
typu studia a předmětu, k němuž je praktikum zařazeno, se liší i délka praktika a typ úlohy zde vykonávané,
a to od nejjednoduššího (principy fungování čistých prostor, mikroskopie v čistých prostorách) po složitější
(principy fotolitografie) až po kompletní (příprava různých typů polovodičových součástek na křemíkové
desce a výroba „čipů“). Kompletní návod tak existuje v ucelené podobě pro praktikum využívající kompletní
technologický proces instalovaný v laboratoři, přičemž pro jednodušší praktika studenti využijí z návodu
jenom patřičné kapitoly.
Hlavním cílem jednodušších praktik je vyzkoušení si specifické práce v čistých bezprašných prostorách a
získání základní zkušenosti s některými technologickými procesy instalovanými v laboratoři.
Hlavním cílem složitějších praktik v této laboratoři je vyzkoušení si skutečné výroby čipů v reálném
prostředí. Každý student dostane křemíkovou desku a po absolvování všech technologických operací mu
zůstane deska s čipy či diskrétními polovodičovými součástkami. Ty si bude moci proměřit a charakterizovat
(měřením V-A charakteristik a mikroskopickým pozorováním povrchu), ověřit zdali a jak fungují, jestli jsou
jejich vlastnosti stejné na celé ploše desky, proč některé z nich nefungují, apod.
1
Webová stránka laboratoře je http://www.physics.muni.cz/ufkl/equipment/CleanRoom.shtml.
Praktikum v čistých prostorách – základy a principy (návody ze 7. prosince 2009) 3
1. Úvod
Čisté prostory a bezprašné prostředí jsou podmínkou pro vývoj a výrobu polovodičových součástek na
křemíkových deskách, které jsou vysoce citlivé na kontaminaci. Čisté prostory i zařízení a technologie, které se
v nich používají, jsou dnes již standardem ve specializovaných výzkumných laboratořích a ve vysoce vyspělých
průmyslových odvětvích zabývajících se polovodičovou výrobou, mikroelektronikou, optikou, metrologií nebo
farmacií.
Úvod praktika bude zaměřen na:
1. Principy fungování bezprašných čistých prostor, nezbytné zázemí (vzduchotechnika a klimatizace, příprava
demineralizované vody).
2. Zásady chování v čistých prostorách. Bezpečnost práce.
3. Manipulace s křemíkovými deskami.
Po úvodním školení a diskusi o čistých prostorách bude následovat praktická část v nově vybudované Laboratoři
polovodičů na Ústavu fyziky kondenzovaných látek. V této laboratoři jsou instalovaná zařízení
pro fotolitografii, difúzi, naprašování a další chemické procesy, které umožňují přípravu jednoduchých čipů,
například polovodičové diody či solárního článku, na křemíkových deskách o průměru 100 mm (4 palce).
Během praktik, jejichž cílem bude příprava funkčních polovodičových součástek na křemíkové desce,
budou prováděny operace běžné pro jejich výrobu:
1. Oxidace: mokrá a suchá oxidace pro růst tlustých a tenkých vrstev SiO2 na křemíku.
2. Fotolitografie: nanesení fotolaku, exponování desky přes masku, vytvrzení laku, vyvolání.
3. Mokré procesy – chemické leptání.
4. Dotace dopantů (bór nebo fosfor) z pevných disků a jejich rozdifundování.
5. Naprašování metalizace.
6. Metrologie a analýza při fotolitografii – měření tloušťky vrstev (fotorezist, oxid), mikroskopie (kontrola
tvaru čar, hran a rohů součástek), elektrická měření (elektrické charakteristiky).
1.1. Křemíkové desky
Leštěné křemíkové desky o průměru 100 mm (4 palce), se kterými budeme pracovat, mají typickou
tloušťku 525 µm. Pro účely orientace desek v zařízeních a pro rozlišení typu vodivosti jsou desky opatřeny
fazetami, viz obrázek 1.1. U velkých desek o průměru od 200 mm se kvůli šetření materiálu již používají
zářezy místo fazet.
Obrázek 1.1. Orientace křemíkových desek podle hlavní fazety, identifikace typu vodivosti a orientace povrchu
podle pomocné fazety.
Pro přípravu polovodičových součástek je nutné řídit měrný odpor křemíku. V celém objemu desky je
toho dosaženo již při tažení krystalu, lokálně se to provádí během výroby součástek posloupností fotolitografie,
sycení a rozdifundování, viz dále v těchto návodech. Graf na obrázku 1.2 ukazuje závislost měrného
elektrického odporu dotovaného křemíku na koncentraci dopantů a tabulka 1 číselné hodnoty koncentrace
pro několik hodnot měrného odporu.
Praktikum v čistých prostorách – základy a principy (návody ze 7. prosince 2009) 4
Tabulka 1. Číselné hodnoty koncentrace pro několik hodnot měrného odporu podle dat jako na obr. 1.2.
rezistivita 0.006 0.01 0.02 0.1 0.2 1 3.5 6 12 20
(Ω·cm)
koncentrace n 9.1e18 4.4e18 1.3e18 8.7e16 3.6e16 5.2e15 1.4e15 8e14 4e14 2.4e14
(cm−3)
koncentrace p 1.7e19 8.6e18 3.7e18 3.2e17 1.2e17 1.8e16 4.5e15 2.6e15 1.2e15 7.3e14
(cm−3)
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
12
10
13
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
10
19
10
20
10
21
rezistivita(Ωcm)
koncentrace (cm
-3
)
n
p
Obrázek 1.2. Závislost měrného odporu křemíku na koncentraci dopantů typu p a n při teplotě 300 K.
Praktikum v čistých prostorách – základy a principy (návody ze 7. prosince 2009) 5
2. Čisté prostory
2.1. Čistota a bezprašnost laboratoře
Bezprašnost, čistota a používání speciálních přípravků a vysoce čistých médií jsou nezbytné při přípravě
obvodů či systémů o mikrometrových rozměrech, kde případná přítomnost prachových částic či jiné kontaminace
má fatální důsledky pro funkčnost vyrobených systémů. Stačí si například uvědomit, že průměr
lidského vlasu je 100 mikrometrů, pylové nebo prachové částice jsou ještě menší, a přitom součástky v současné
mikroelektronice (analogové řídící obvody, čipy, paměti, procesory) se vyrábí s mikrometrovým až
sub-mikrometrovým rozlišením. Tabulka 2 shrnuje označení tříd čistoty.
Tabulka 2. Označení tříd čistoty podle ISO normy a metrické a palcové konvence, a maximální limity koncentrace
částic ve vzduchu pro velikost částic ≥ limit. Čistá laboratoř na ÚFKL o rozloze 120 m2 spadá podle
posledního měření do třídy čistoty 100 (ISO 5).
Třídy čistoty
ISO Metrická Palcová 0,1 µm 0,2 µm 0,3 µm 0,5 µm 0,5 µm 1 µm 5 µm
14644-1 FS 209E (1/m3
) (1/m3
) (1/m3
) (1/m3
) (1/ft3
) (1/m3
) (1/m3
)
Třída 1 M1 10 2
Třída 2 M1.5 1 100 24 10 4 1
Třída 3 M2 1 000 237 102 35 8
Třída 4 M2.5 10 10 000 2 370 1 020 352 10 83
Třída 5 M3.5 100 100 000 23 700 10 200 3 520 100 832 29
Třída 6 M4.5 1 000 1 000 000 237 000 102 000 35 200 1 000 8 320 293
Třída 7 M5.5 10 000 352 000 10 000 83 200 2 930
Třída 8 M6.5 100 000 3 520 000 100 000 832 000 29 300
Třída 9 M7.5 1 000 000 35 200 000 1 000 00 0 8 320 000 2 930 000
Bezprašnost v laboratoři je zaručena použitím jemných filtrů a zajištěním laminárního proudění vzduchu
od stropu k podlaze, viz obrázek 2.3. Kromě bezprašnosti umožňuje klimatizace laboratoře dodržet přesně
definované parametry teploty a vlhkosti. Toto je důležité zejména pro teplotní stabilizaci fotolitografu pro
přípravu součástek s mikrometrovým rozlišením. Poznamenejme ještě, že ve sterilních čistých prostorách
např. ve farmacii jsou požadavky na bezprašnost podstatně nižší, avšak je prováděna sterilizace vystupujícího
vzduchu UV lampami.
Obrázek 2.3. Schéma oběhu vzduchu v čistých bezprašných prostorách.
Praktikum v čistých prostorách – základy a principy (návody ze 7. prosince 2009) 6
Největším zdrojem znečištění v laboratoři je člověk. Proto je nutné používat speciální bezprašné kombinézy,
návleky na boty a rukavice. Pravidelný úklid (každodenní vytírání podlahy a pravidelná očista všech
zařízení) je nezbytným předpokladem udržení čistoty a dosažení kvality připravených součástek.
Ad praktikum: Před použitím každého pracoviště je nutné provést otření přístrojů a stolu bezprašnou
utěrkou navlhčenou ve zředěném roztoku isopropylalkoholu.
2.2. Čistota a bezprašnost médií
Použité materiály i média (voda, plyny) musí být velmi čisté. Chemikálie se používají v čistotě označené
p.p. (pro polovodiče), která je vyšší než čistota p.a. (pro analýzu). V našem praktiku budou použity chemikálie
(fotolak, vývojka) od renomovaného výrobce, a dále bude prováděn oplach desek v demineralizované vodě.
Demineralizovaná voda je vysoce čistá voda, která neobsahuje minerály, ionty ani baktérie. Čistota vody
se posuzuje jejím měrným odporem. Vzhledem k jeho závislosti na teplotě se hodnoty přepočítávají na teplotu
25 ◦C. Pro CMOS technologii je nutné dosáhnout hodnot 18 MΩ·cm, která je velmi blízká maximálnímu
možnému odporu 18,2 MΩ·cm při 25 ◦C.
Otázka: Jak závisí měrný odpor vody na teplotě?
Všechna tato opatření se dělají kvůli zamezení kontaminace křemíkových desek. Proto taktéž:
• Křemíkovými deskami manipulujeme pouze pomocí pinzet. Nedotýkat se rukama!
• Nad deskami a jejich zásobníky nemáváme rukama ani žádnými pracovními nástroji.
• Desky nepokládáme na stůl, ale pouze do zásobníků a na pracovní plochu přístrojů.
Praktikum v čistých prostorách – základy a principy (návody ze 7. prosince 2009) 7
3. Fotolitografie
Fotolitografie je soubor technologických procesů pro přípravu topologicky přesně definovaných struktur
vytvrzením exponovaného fotorezistu na připraveném vzorku, a slouží k ohraničení oblastí, které budou
v následujícím technologickém kroku předmětem lokálních operací, jako jsou např. leptání, difúze dopantů,
implantace apod.
3.1. Principy
Fotolak (fotorezist) je chemikálie, která mění konformaci při ozáření, v našem případě spektrální čarou
365 nm rtuťové výbojky. Oblasti fotorezistu, které byly zakryté (zamaskované chromovou vrstvou na křemenném
skle) po expozici a vyvolání ve vývojce zůstanou na desce, zatímto exponované části se odplaví, a
to v případě užití pozitivního laku. V případě negativního laku se naopak odplaví neozářené části laku.
Fotolak je citlivý na blízkou UV oblast, proto je místnost fotoligrafie typická svým žlutým světlem (fólie
na zářivkách) pro odfiltrování tvrdé části viditelného spektra.
3.2. Postup práce
Provedeme nanesení laku na desku:
1. Desku dáme na několik minut do desikátoru s HMDS (hexametyldisilazan). Páry této látky provedou
hydrofobizace povrchu desky.
2. Lakování desky fotorezistem na rotační lakovce. Kapka laku se kápne do středu desky a poté se roztočí.
Tloušťka vrstvy závisí na rychlosti rotace. Lakování desky fotorezistem na rotační lakovce. Provedeme
pro různé rychlosti rotace od 1000 do 6000 otáček za minutu. Doba rotace cca 30 sekund.
3. Vytvrzení laku na horké plotně při teplotě 85 až 90 ◦C po dobu 3 minuty (tzv. soft-bake).
4. Expozice desky na expozičním zařízení Perkin-Elmer (PE 340 HT) s Hg výbojkou. Maska bude obsahovat
struktury pro další úroveň součástek. Doba osvitu (expozice) bude vhodně nastavena podle typu
fotorezistu.
Poznámka: V případě testování nanášení laku na atrapu s již vyrobenými strukturami je možné vyzkoušet
sesazování úrovní.
5. Vyvolání desky ponorem ve vývojce a osušení na centrifuze.
6. Vytvrzení laku na teplotě kolem 110 ◦C (tzv. hard-bake).
S nalakovanou deskou je možné provést tato pozorování a měření:
1. Ověření homogenity naneseného laku pozorováním pod šikmým světlem.
2. Pozorování exponovaných motivů pod mikroskopem.
3. Měření tloušťky fotorezistu optickým spektrometrem.
3.3. Smytí fotorezistu
Smytí (stripování) pozitivního fotorezistu je možné provést buď mokrým chemickým rozpouštěním acetonem
nebo suchým plazmatickým leptáním v kyslíkovém plazmatu.
Acetonem smyjeme fotorezist z oxidové vrstvy; toto můžeme provést buď ponorem desky do vaničky
v chemickém boxu anebo pomalým litím acetonu z pipety na desku rotující na rotační lakovce. Desku poté
opláchneme demineralizovanou vodou a osušíme na centrifuze. Na desce se mohou nacházet různé organické
nečistoty či zbytky ulpělého laku, které by mohly kontaminovat pec při následujícím vysokoteplotním kroku.
Proto je absolutně nezbytné následně provést chemické čištění desky. Desku umyjeme v leptací směsi kyselin
H2SO4 a H2O2 a opět opláchneme demineralizovanou vodou a osušíme na centrifuze.
Sejmutí fotorezistu z metalizace se provede tzv. suchým procesem – plazmatickým leptáním v kyslíku
v zařízení VT214. Po plazmatickém leptání již deska nesmí přijít na žádnou vysokoteplotní operaci, hrozila
by kontaminace sodíkem.
Praktikum v čistých prostorách – základy a principy (návody ze 7. prosince 2009) 8
4. Měření tloušťky propustných vrstev
V polovodičových technologiích se na křemíkové desce připravují různé vrstvy, jako například vrstva
fotorezistu, vrstva oxidu křemíku, nebo vrstva hliníku. Ke zvládnutí procesu přípravy součástek je třeba
znát tloušťky těchto vrstev. Například vrstva SiO2 funguje jako bariéra, která při sycení desky dopantem
zabraňuje nasycení zakrytých částí křemíkové desky.
Vrstvy fotorezistu a oxidu jsou průhledné, jejich tloušťky proto můžeme určit měřením spektrální odrazivosti
ve viditelném světle. Tloušťky neprůhledných vrstev, např. naprášené vrstvy metalizace, je nutné měřit
profilometrem nebo rentgenovou reflektivitou.
4.1. Teorie
Jedním ze základních úkolů optiky tenkých vrstev je určení tloušťky d a indexu lomu n1(λ) tenké vrstvy,
která se nachází na substrátu s indexem lomu n. Spektrální závislost reálné části indexu lomu popíšeme
Cauchyho vztahem
n(λ) = A + B/λ2
+ C/λ4
. (4.1)
Pro křemík ve viditelné oblasti spektra nad 400 nm je možné zanedbat absorbční koeficient a Cauchyho
závislost je
nSi(λ) = 3, 397 + 1, 4 · 105
/λ2
+ 1, 992 · 1010
/λ4
(4.2)
pro λ v nanometrech.
Při dopadu světla na tenkou vrstvu o tloušťce d dochází k interferenci, při kolmém dopadu je spektrální
závislost intenzity
R(λ) =
(r1rs)2 − 4r1rs sin2
φ
(1 + r1rs)2 − 4r1rs sin2
φ
, (4.3)
kde fázový posuv ve vrstvě je φ = 2πdn1/λ. Fresnelovy koeficienty odrazivosti na povrchu a na rozhraní
vrstvy se substrátem jsou
r1 =
1 − n1
1 + n1
a rs =
n1 − ns
n1 + ns
, (4.4)
kde n1 je index lomu vrstvy a ns index lomu substrátu.
Při experimentu nemůže spektrofotometr měřit přímo absolutní hodnotu odrazivosti R(λ), protože je
nutné brát v úvahu např. zářivost světelného zdroje a spektrální závislost účinnosti detektoru, pokud tyto
kalibrační křivky nejsou součástí jeho řídícího programu. Proto je výhodné získat odrazivost vzorku R(λ)
srovnávacím měřením, kdy srovnávacím vzorkem je vyleštěná deska křemíku s odrazivostí RSi(λ) = |rs|2,
protože spektrální závislost indexu lomu křemíku ns = nSi je přesně tabelována, viz (4.2). Pak
R(λ) = Rměřená
(λ)
RSi(λ)
Rměřená
Si (λ)
. (4.5)
4.2. Měření
Měření provedeme na vláknovém spektrofotometru. Vnější část dvojitého optického vlákna přivádí světlo
z halogenové nebo deuteriové výbojky do reflexní sondy umístěné nad vzorkem a vzorek osvětluje. Vnitřní část
sondy sbírá odražené světlo a vede ho do spektrofotometru, který provádí rozklad světla difrakční mřížkou.
Reflexní sonda se umístí kolmo nad měřenou oblast vzorku. Nejdříve změříme spektrální závislost odrazivosti
křemíku (vyleštěná křemíková deska), a poté již měříme jednotlivé vzorky s vrstvou. Programem na
simulaci a analýzu těchto spekter pak nafitujeme parametry vrstvy, tedy její tloušťku a koeficienty A, B, C.
4.3. Úkoly
Změřte závislost tloušťky vrstvy fotorezistu na rychlosti otáček rotační lakovky.
Změřte homogenitu tloušťky vrstvy fotorezistu na jedné desce.
Změřte tloušťku oxidu, porovnejte naměřenou hodnotu s hodnotou vypočtenou podle doby, teploty a
typu (suchá vs. mokrá) oxidace.
Praktikum v čistých prostorách – základy a principy (návody ze 7. prosince 2009) 9
5. Organizace praktika
5.1. Organizační poznámky k praktiku
• Na místo srazu přijďte přesně na určenou hodinu.
• Do laboratoří není možné vstupovat v silně či viditelně znečištěném (zaprášeném, zakouřeném) oblečení.
• Při práci je obličej nezakrytý, proto není dobré použít nevhodný make-up, vysušující kosmetiku, pudr
či jiné zdroje prachových částic a těžkých kovů.
• Dlouhé vlasy sepněte gumičkou, aby nevylézaly z kapuce kombinézy.
• Nemocným (chřipka, kašel, nachlazení) není vstup do čistých prostor povolen (uvnitř nelze kašlat a
smrkat).
• Práce studentů v praktiku je povolena pouze pod dohledem vyučujícího. Student se při práci řídí
pokyny vedoucího. V případě nejasnosti je třeba problém konzultovat s vedoucím praktika.
5.2. Vstup do čistých prostor
• Vstup do čistých prostor je přes dvě šatny, tedy troje dveře. Vzhledem k udržovanému mírnému přetlaku
v laboratoři (cca 30 Pa) smí být v jednom okamžiku otevřeny pouze jedny z nich. Neotevíráme tedy
dveře, pokud na nich zní a svítí signalizace.
• V černé šatně uložíme venkovní oblečení (též boty) do skříňky. Obujte si přezůvky (doporučujeme
vlastní).
• V čisté šatně oblékneme kombinézu, roušku a návleky postupem podle vyobrazení. Nakonec si navlékneme
rukavice.
• Poté již vejdeme do čistých prostor.
• Do čistých prostor nevnášíme žádné neautorizované předměty. Na psaní poznámek bude v laboratoři
k dispozici bezprašný papír a speciální propisky.
5.3. Další poznámky pro udržení čistoty a zabránění kontaminace
• Deskami manipulujeme pouze pomocí pinzet. Nemácháme nad nimi rukama.
• Křemenného skla se nedotýkejte, hrozí kontaminace při vysokých teplotách v peci. Při manipulaci se
ruka dotýká pouze koncových částí táhla a tunelu.
• Před každou prací na pracovišti otřeme pracovní misto a používaný přistroj isopropylalkoholem a
bezprašnou utěrkou.
• Každodenní stírání podlahy supermoderním mopem s certifikátem pro čisté prostory je nezbytností.
Proto radostně vytřeme část podlahy, pokud nás o to vedoucí praktika požádá.
5.4. Bezpečnost práce v čistých prostorách
• V laboratoři se chováme rozvážně, neběháme.
• S chemikáliemi se pracuje opatrně a to pod dohledem a pouze v chemických boxech. Při práci použijte
vhodné osobní ochranné prostředky. Při poleptání je nutné okamžitě použít bezpečnostní sprchu, oční
nebo tělovou.
• V čistých prostorách si pracovníci nepodávají ruce (máte nasazeny rukavice!).
• V šatnách ani v čistých prostorách se nesmí jíst a pít, nesmí se žvýkat žvýkačky.
• Demineralizovaná voda, stejně jako destilovaná voda, se nesmí pít.
• Pozor na horké desky a lodičky po jejich vytažení z pece.
5.5. Poznámky k vypracování protokolu
O vaší činnosti v laboratoři vypracujte protokol. V případě měření na sérii desek vysdílejte svá měření
s ostatními účastníky vašeho praktika.
Do protokolu použijte fotografie z digitálního fotoaparátu pořízené během vašeho praktika. (Poznámka:
v místnosti fotolitografie nefoťte s bleskem!) Kromě vedoucího vašeho předmětu pošlete prosím váš protokol
či fotky též na adresu autora tohoto návodu. Evidence využití a získané výsledky z této jedinečné výukové
laboratoře s čistými prostorami snad podpoří financování jejího náročného provozu i v budoucnosti.
Praktikum v čistých prostorách – základy a principy (návody ze 7. prosince 2009) 10