Tranzistor jako dvojbran
u1 = h11i1 + h12u2
i2 = h21i1 + h22u2
h11 – vst. odpor při výst. nakrátko
h22 – výst. vodivost při vst. naprázdno
h12 – zp. U zesil. činitel při vst. naprázdno
h21 - I zesilovací činitel při výst. nakrátko
při i1= 0
Charakteristika tranzistoru v zapojení SE
Parametrická soustava
charakteristik
Kmitočtová závislost
Pracovní bod tranzistorového zesilovače
Omezující parametry tranzistoru:
A – maximální napětí UCE
B – maximální proud IC
C – maximální výkonová ztráta PDmax
=
∆ = − =
TP = max. povolená teplota tranzistoru
TO = teplota okolí
RT = tepelný odpor tranzistoru
PO = ztrátový výkon v prac. bodě
Nastavení pracovního bodu
Zapojení SE
Proudové zesílení
=
∆
∆
=
4,1 10
38 10
= 108
Nastavení pracovního bodu
≈ 10
=
− = =
−
+
= =
Vliv teploty na vlastnosti tranzistoru
Teplotní závislost pracovního bodu
Účinnost stabilizace je určena pomocí činitelů stabilizace
=
∆
∆
=
∆
∆ℎ
=
∆
∆
Teplotní kompenzace
= + = +
jelikož	 ≈ ., platí
= + = − ∆ + + ∆ = +
Teplotní kompenzace – zapojení SE
h21e proudový zesil. činitel v daném pracovním bodě
h11e vstupní odpor tranzistoru, ℎ =
∆
Ri vnitřní odpor zdroje signálu
f0d dolní mezní kmitočet tranzistoru
= =
1 +
=
1 +
≥
ℎ
2 ℎ +
Stabilizace pracovního bodu pomocí záporné
zpětné vazby z kolektoru
= +
= =
−
+
= = 										 = 2	 ž	10 	
Kompenzační metody stabilizace
Unipolární tranzistory
Vliv teploty na vlastnosti tranzistoru
Nastavení pracovního bodu
= + = 0			 ⟹	 = −
tranzistor JFET s N kanálem tranzistor MOSFET s N kanálem
=
+
= +
Různé způsoby nastavení pracovního bodu
=
∆
∆
ad d) stanovení RS při uvážení rozptylů parametrů tranzistoru s cílem
zachovat přenosové vlastnosti zesilovače
Zapojení zesilovače (SS)
obvodové zapojení zapojení z hlediska signálu
≥ 0,2 = =
+
≈ ý = =
+
=
ý
=
+
ý
ý +
≈
ý
ý +
̴ 1