F3390 – Výroba mikro a nanostruktur 2019 Lekcia 4 Prenos vzoru (patterning) Fotóny a nabité zväzky Základné procesy mikroobrábania N. Maluf: An Introduction to Micromechanical Systems Engineering, Artech House 2004 Základný vývojový diagram procesov pri mikrobrábaní: Prebehne depozícia vrstiev; Na fotorezist sa litograficky vytvorí motív ktorý slúži jako maska pri leptaní podkladového materiálu. Proces sa opakuje až kým nedôjde k dokončeniu požadovanej mikroštruktúry. Vytvorenie vrstvy Leptanie Obrazový motív viď. F3370 Optická litografia Vyčerpávajúca prednáška viď. F6540 Fyzikální principy technologie výroby polovodičů, Ing. Radim Špetík, Ph.D. Základné kroky: - Nanesenie fotosenzitívneho filmu - fotorezistu - Zorientovanie masky/retiklu (alligement) - Expozícia fotorezistu - Vyvolanie vzorky Výzva: - Schopnosť efektívne prenášať čo najmenšie a-periodické štruktúry na forezist s danou hrúbkou. Fotóny - základné expozičné metódy Svetlo Maska + Pelikula Kondenzor Redukčný objektív Substrát Rezist Kontaktná litografia Projekčná litografia Separačná litografia (proximity lithography) • Medzera 3-50 m • Fresnelova, nie Franhouferova difrakcia • Umožní projekciu zmenšeniny masky (5x typicky) • Polohu substrátu je možné krokovať, a opakovane tak exponovať ostrý obraz čipu na celý wafer. • Cena masky je privysoká pre sériovú výrobu mikro/nano štruktúr Difrakčný limit => krátke  Prechod svetla cez malú štrbinu v maske šírky a vyvolá difrakciu (tu Franhoferovu), tj. vznik svetelných maxím pod uhlom . Problém nastane keď a ≈  Redukčný objektív fokusuje z difrakčného obrazca na rezist iba časť, v závislosti od rozmerov šošovky, resp. jej numerickej apertúry NA = n.sin θ, čím sa obraz rozmaže. Rozlišovacia schopnosť (Rayleighovo kritérium): xmin = k1 / NA vs. Skracovanie vlnovej dĺžky  • UV svetlo z ortuťových lámp, limitovaná dostupná intenzita žiarenia. – ‘g’-čiara ( =436 nm).. rozlíšenie 7-1 m – ‘i’-čiara ( =365 nm).. rozlíšenie 1-0,35 m • Excimérové lasery Deep UV (DUV) –  =248 nm (KrF excimér laser) rozlíšenie 350-118 nm –  =193 nm (ArF excimér laser) rozlíšenie 180-32 nm / imerzná technika • Vakuové UV (VUV) –  = 157 nm (F2 excimér laser), • Extrémne UV (EUV) –  = 13 nm, menej než 32 nm • X-ray   1 nm . ?? Materiál pre výrobu • optických šošoviek (CaF, dvojlom) • priesvitné a odolné pelikuly pre masky (CaF nevhodný) • fotorezist (okamžite absorbuje) Extrémne UV – EUV, 13 nm Rezonančná odrazivosť pre 50x Mo(2.76 nm)–Si(4.14 nm) • Prísne vzaté, ide už o mäkké RTG žiarenie • Využíva reflexnú optiku Hlavné komponenty: EUV zdroj Synchrotrónové žiarenie – extrémne drahé. Kritickým faktorom je životnosť a shot noise. Plazma – vysokoionizované ióny Li, Xe+10, Sn+8 až +12, pomocou pulzného pinču. Problémom je malá intezita sveteln. toku (aspoň 100W v ohnisku). Laser – laserom indukovaný prieraz EUV optika Základom je multivrstvové zrkadlo, tzv. distributed Bragg reflector. Kritickým faktorom je jeho životnosť. EUV maska Pracuje na odraz, podobne ako EUV zrkadlo. Našťastie je optika EUV redukčná (4:1) Pre kvalitné zobrazenie je potrebná maximálna rovinnosť. Maska musí byť tepelne odolná. EUV rezist Musí byť veľmi citlivý, pretože slabá intenzita žiarenia To je však vedie k neostrým kontúram. Prierez maskou RTG žiarenie 1 – 0,1 nm Nie je možné použiť ani reflexnú optiku. Musíme používať separačnú litografiu 1:1. Kontaktná je vylúčená extrémne malou hrúbkou masky. Maska z Au, W, Ta (300-500 nm) nanesených na Si, SiC(1-2m). Problémy: - Presná vzdialenosť medzi tenučkou maskou a substrátom. - Augerovské elektróny a fotoelektróny vyvolané RTG vyvolávajú nežiaducu expozíciu rezistu (účinnejšiu než samotné RTG). Zväčšovanie NA Zvýšenie NA zlepší rozlíšenie, ale zhorší hĺbku ostrosti: (pozn. zhoršenie DOF platilo aj pri skracovaní ) Pre výrobu veľkých waferov, ktoré nikdy nie sú ideálne rovné je DOF dôležitejší parameter ako rozlíšenie. Plus DOF vs. hrúbka rezistu. Až keď sme boli schopní pracovať s DOF < 0,5 m, mohli sme začať zvyšovať NA. Imerzná optická litografia – prielom k 22 nm @ 193 nm technológii. NA > 0,5 NA = n.sin θ. Vďaka kvapaline s vysokým indexom lomu (voda n=1,44) vytvára obraz väčšia čas šošovky (hranola). Problémy: - Rýchly pohyb waferu bez toho, aby vznikli v kvapaline mikrobubliny. - Sušenie fotorezistu bez zanechania škvŕn po kvapaline. xmin = k1 / NA Zmenšovanie k1 - resolution enhancement technique RET Pre kruhové apertúry (Airyho krúžok) k1=0,65. Analogicky fungujú aj čiarové štruktúry. xmin = k1 / NA Off-Axis Illumination (OAI) Pomocou vhodnej clonky prinútime svetlo dopadať na masku pod uhlom. Vďaka tomu sa otvor a javí pre svetlo väčší. Ďalej sa zlepší DOF. Zlepšenie funguje len pre istý typ štruktúr. Kvadrupól – čiarové štruktúry. Anulárna clona je univerzálnejšia, ale efekt už nie taký dramatický. Preto existujú programovateľné OAI, ktoré menia svoj tvar podľa potrieb. Phase-Shifting Mask (PSM) Niektoré oblasti masky sa zámerne urobia tenšie/hrubšie, aby svetlo prechádzajúce cez tieto oblasti zmenilo svoju fázu. Problémom sú oblasti, kde tenšie/hrubšie miesta končia. Ilustrácia ako môže PSM vytvoriť ostrejší obraz Optical Proximity Correction (OPC) Difrakčný limit sa prejavuje „zaobľovaním“ ostrých hrán motívu na maske. Tieto hrany môžeme zámerne zmeniť tak, že zmenená hrana po „zaoblení“ bude mať práve požadovaný tvar. upravená maska výsledok na reziste Near-Field Optical Lithography Povrchové plazmóny, zlý line edge roughness LER Limit /2 je možné prekonať optikou v blízkom poli (evanescentnom poli), s bežnými UV zdrojmi. Evansc. vlna sa však šíri iba do 100 nm vzdialenosti, preto je expozícia plytká a je nutný dokonalý kontakt. Simulácia šírenia evanescentenj vlny Lacná kusová výroba sub 100nm vzorov Silver superlens SPP v tenkej vrsve striebra ožiari fotorezist PR Inerferometrická optická litografia Známa od 1970 z výroby hologramov. Fotorezist je exponovaný interferenčným obrazcom. Je schopná vytvoriť iba čiary alebo body (2x čiara otočená o 90°)‚ ale aj tie majú význam (fotonické kryštály, pamäťové prvky). Sub 100nm štruktúry je možné získať ladením doby expozície a citlivosti fotorezistu. Schéma Doba expozície určí šírku čiary Bezmasková litografia Nároky na masku (výroba, defekty, transparentnosť) sa pri sub 100nm javia byť natoľko zásadné, že začína byť reálne masovo využívať skanovacie techniky (uplatnené zatiaľ iba pri výrobe masiek). 32 lúčov 16 úrovní intezity pre každý lúč 24 zrkadiel s 20 000 rpm skanuje lúč Iné systémy používajú na projekciu lasera Digital Micromirror Devices (DMDs).Tieto systémy nepotrebujú aby bol laser cw, a môžu tak ísť do kratších vlnových dĺžok. Litografia nabitými zväzkami • E-beam litografia sa vyvinula v 1960 tych rokoch z SEM, keď sa zistilo, že PMMA (polymetylmetakrylát - plexisklo) možno použiť ako rezist citlivý na nabité častice. Napriek nižšej citlivosti zostáva vďaka výbornému priestorovému rozlíšeniu najpoužívanejší rezistom. • Na rozdiel od fotónov dokážame nabité zväzky veľmi presne manipulovať (viď SEM). • Elektróny sú viac ako 1000 ľahšie než ióny, preto nevyvolávajú rozprašovanie. Manipulácia zväzkov • Pre základnú predstavu (časovo nemenné pole) nám stačí použiť výraz pre Lorentzovu silu: Elektrické pole (rotačne súmerné): E(r) zabezpečí fokusovanie zväzku, preto nás zaujíma r(z). Vidíme že: – Fokusovanie nezávisí od q a m – Fokusovanie je priamo úmerné priestorovej zmene V(z)/z - riziko elektrického prierazu – Vysoká hodnota V(r, z) v menovateli zhorší efekt zaostrenia, častica preletí príliš rýchlo cez šošovku + zväzok získava od E energiu.  Magnetické pole (rotačne súmerné)  Vidíme že: • Fokusovanie závisí od q a m • Vysoké elektrické pole zvýši rýchlosť V a tým zhorší zaostrovaciu silu dr2/dz2 Na fokusovanie elektrónov sa používajú hlavne magnetické polia, ktoré možno na rozdiel od E zväčšovať bez hrozby elektrického prierazu. Pre ióny sa fokusovanie pomocou B nepoužíva, kvôli citlivosti na q a m. V - rýchlosť Zdroje elektrónov • Horúce a studené katódy Wehneltov valec Horúca katóda – problém so zabezpečením bodovosti zdroja Studená katóda – emisia poľom z veľmi ostrého hrotu Zdroje iónov Plošné - Kaufmanov iónový zdroj Vyvinutý pôvodne pre vesmírne pohony 90% účinnosť, priemer až 1,5m Slabé magnetické pole 5-12 mT zmagnetizuje dráhu Elektrónov, čo vedie k efektívnejším ionizačným zrážkam Bodové – LMIS – Liquid metal ion source Ga – 30° teplota topenia + nízky tlak pár (vhodné do vysokého vákua). Plyny ako H sa schladia na kvapalinu. Taylorov kužeľ Rozptyl elektrónov Vysoko-energetické elektróny sa lepšie fokusujú, veľká kinetická energia potlačí význam Coulombovských odpudivých síl. Pretože sú elektróny ľahké, budú sa na atómoch rezistu významne rozpyľovať, kým úplne stratia svoju kinetickú energiu. Navyše sú schopné vyrábať sekundárne elektróny. Zníženie energie elektrónov však znemožní exponovať hlbšie vrstvy resistu. 10 keV 3 keV Simulácia rozptylu v reziste: rezist substrát rezist substrát Rozptyl iónov Ťažké ióny majú menší rozptyl než elekróny (viď. grafy), súčasne však ale majú menšiu hĺbku prieniku. 50keV ión PSF – point spread function Projekčná litografia nabitých častíc Single beam nemôže konkurovať pri masovej výrobe optickej litografii (60ks/hod). Projekcia cez masku narazí na problém jej pevnosti a coulombovského odpudzovania širokého zväzku ktorý je potrebný (viď SCALPEL system). Multibeam projekcia masku nepotrebuje. Pre elektróny napr. MAPPER, pre ióny je systém podobný. http://www.mapperlithography.com/ MAPPER 13 tis. elektrónových lúčov, každý ovládaný vlastnou MEMS – napätie na laserom ovládanej fotodióde vychýli individuálny zväzok . Ióny - Projection Mask-Less Lithography IMS Nanofabrication AG, Wien Literatúra Zheng Cui: Nanofabrication Principles, Capabilities and Limits, Springer Science & Business Media, 2008 Sami Fransilla: Introduction to Microfabrication, Wiley; 2nd Edition 2010 Harry J. Levinson: Principles of Lithography, 3rd Edition, SPIE, 2010