FALUB, C.V., F. ISA, T. KREILIGER, R. BERGAMASCHINI, A. MARZEGALLI, A.G. TABOADA, D. CHRASTINA, G. ISELLA, E. MÜLLER, P. NIEDERMANN, A. DOMMANN, A. NEELS, A. PEZOUS, Mojmír MEDUŇA, L. MIGLIO a Hans VON KÄNEL. Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals. In Tsu Jae King Liu. 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings. Berkeley, CA: EEE eXpress Conference Publishing. s. 60-61. ISBN 978-1-4577-1862-5. doi:10.1109/ISTDM.2012.6222457. 2012.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals
Název česky Prostor vypňující pole třídimenzionálních epitaxních Ge a Si1-xGex krystalů
Autoři FALUB, C.V. (642 Rumunsko), F. ISA (380 Itálie), T. KREILIGER (756 Švýcarsko), R. BERGAMASCHINI (380 Itálie), A. MARZEGALLI (380 Itálie), A.G. TABOADA (756 Švýcarsko), D. CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko), G. ISELLA (380 Itálie), E. MÜLLER (756 Švýcarsko), P. NIEDERMANN (756 Švýcarsko), A. DOMMANN (756 Švýcarsko), A. NEELS (756 Švýcarsko), A. PEZOUS (756 Švýcarsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), L. MIGLIO (380 Itálie) a Hans VON KÄNEL (756 Švýcarsko).
Vydání Berkeley, CA, 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings, od s. 60-61, 2 s. 2012.
Nakladatel EEE eXpress Conference Publishing
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Stať ve sborníku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Forma vydání tištěná verze "print"
Kód RIV RIV/00216224:14740/12:00068032
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
ISBN 978-1-4577-1862-5
Doi http://dx.doi.org/10.1109/ISTDM.2012.6222457
Klíčová slova česky křemík; heteroepitaxe; rtg difrakce
Klíčová slova anglicky silicon; heteroepitaxy; x-ray diffraction
Štítky AKR, nk, rivok
Příznaky Mezinárodní význam
Změnil Změnila: Olga Křížová, učo 56639. Změněno: 30. 4. 2014 04:22.
Anotace
The crystalline quality, tilt and strain of the Ge and Si1-xGex crystals were investigated by high resolution X-ray diffraction.
Anotace česky
Krystalová kvalita, sklon a deformace Ge a Si1-xGex krystalů byla studována pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením.
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
VytisknoutZobrazeno: 20. 4. 2024 03:43