Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial
Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111)
Substrates

J 2013

Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates

CAHA, Ondřej, Adam DUBROKA, Josef HUMLÍČEK, Václav HOLÝ, Hubert STEINER et. al.

Základní údaje

Originální název

Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates

Název česky

Růst, strukturní a elektronové vlastnosti epitaxních vrstvy topologického izolátoru bismut teluridu deponované na BaF2 substrátech

Autoři

CAHA, Ondřej (203 Česká republika, garant, domácí), Adam DUBROKA (203 Česká republika, domácí), Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, domácí), Václav HOLÝ (203 Česká republika), Hubert STEINER (40 Rakousko), M. UL-HASSAN (40 Rakousko), Jaime SANCHEZ-BARRIGA (724 Španělsko), Oliver RADER (276 Německo), T. N. STANISLAVCHUK (840 Spojené státy), Andrei A. SIRENKO (840 Spojené státy), Günther BAUER (40 Rakousko) a Günter SPRINGHOLZ (40 Rakousko)

Vydání

Crystal Growth & Design, Washington, American Chemical Society, 2013, 1528-7483

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 4.558

Kód RIV

RIV/00216224:14740/13:00066623

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

http://dx.doi.org/10.1021/cg400048g

UT WoS

000323020000013

Klíčová slova česky

Diracův kužel; tenké vrstvy; povrchové stavy; pásová struktura; BI2TE3; BI2SE3; RAMAN; SELENID;

Klíčová slova anglicky

SINGLE DIRAC CONE; THIN-FILMS; SURFACE-STATES; BAND-STRUCTURE; BI2TE3 FILMS; BI2SE3; RAMAN; SELENIDE;

Štítky

rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 13. 3. 2018 16:08, doc. Mgr. Adam Dubroka, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

Epitaxial growth of topological insulator bismuth telluride by molecular beam epitaxy onto BaF2 (111) substrates is studied using Bi2Te3 and Te as source materials. By changing the beam flux composition, different stoichiometric phases are obtained, resulting in high quality Bi2Te3 and Bi1Te1 epilayers as shown by Raman spectroscopy and high-resolution X-ray diffraction. From X-ray reciprocal space mapping, the residual strain, as well as size of coherently scattering domains are deduced. The Raman modes for the two different phases are identified and the dielectric functions derived from spectroscopic ellipsometry investigations. Angular resolved photoemission reveals topologically protected surface states of the Bi2Te3 epilayers. Thus, BaF2 is a perfectly suited substrate material for the bismuth telluride compounds.

Česky

Epitaxní vrstvy teluridů bismutu byly připraveny molekulární epitaxí z Bi2Te3 a Te. Změna toku jednotlivých složek ovlivnovala strukturu vrstev, která byla zkoumána pomocí rtg difrakce, Ramanské spektroskopie.

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

GAP204/12/0595, projekt VaV

Název: Elektronové a strukturní vlastnosti trojrozměrných topologických izolantů

Investor: Grantová agentura ČR, Elektronové a strukturní vlastnosti trojrozměrných topologických izolantů

Citovat

CAHA, Ondřej, Adam DUBROKA, Josef HUMLÍČEK, Václav HOLÝ, Hubert STEINER, M. UL-HASSAN, Jaime SANCHEZ-BARRIGA, Oliver RADER, T. N. STANISLAVCHUK, Andrei A. SIRENKO, Günther BAUER a Günter SPRINGHOLZ. Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates. Crystal Growth & Design. Washington: American Chemical Society, 2013, roč. 13, č. 8, s. 3365-3373. ISSN 1528-7483. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1021/cg400048g.

@article{1137539,
   author = {Caha, Ondřej and Dubroka, Adam and Humlíček, Josef and Holý, Václav and Steiner, Hubert and UlandHassan, M. and SanchezandBarriga, Jaime and Rader, Oliver and Stanislavchuk, T. N. and Sirenko, Andrei A. and Bauer, Günther and Springholz, Günter},
   article_location = {Washington},
   article_number = {8},
   doi = {http://dx.doi.org/10.1021/cg400048g},
   keywords = {SINGLE DIRAC CONE; THIN-FILMS; SURFACE-STATES; BAND-STRUCTURE; BI2TE3 FILMS; BI2SE3; RAMAN; SELENIDE;},
   language = {eng},
   issn = {1528-7483},
   journal = {Crystal Growth & Design},
   title = {Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates},
   volume = {13},
   year = {2013}
}

TY  - JOUR
ID  - 1137539
AU  - Caha, Ondřej - Dubroka, Adam - Humlíček, Josef - Holý, Václav - Steiner, Hubert - Ul-Hassan, M. - Sanchez-Barriga, Jaime - Rader, Oliver - Stanislavchuk, T. N. - Sirenko, Andrei A. - Bauer, Günther - Springholz, Günter
PY  - 2013
TI  - Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates
JF  - Crystal Growth & Design
VL  - 13
IS  - 8
SP  - 3365-3373
EP  - 3365-3373
PB  - American Chemical Society
SN  - 15287483
KW  - SINGLE DIRAC CONE
KW  - THIN-FILMS
KW  - SURFACE-STATES
KW  - BAND-STRUCTURE
KW  - BI2TE3 FILMS
KW  - BI2SE3
KW  - RAMAN
KW  - SELENIDE;
N2  - Epitaxial growth of topological insulator bismuth telluride by molecular beam epitaxy onto BaF2 (111) substrates is studied using Bi2Te3 and Te as source materials. By changing the beam flux composition, different stoichiometric phases are obtained, resulting in high quality Bi2Te3 and Bi1Te1 epilayers as shown by Raman spectroscopy and high-resolution X-ray diffraction. From X-ray reciprocal space mapping, the residual strain, as well as size of coherently scattering domains are deduced. The Raman modes for the two different phases are identified and the dielectric functions derived from spectroscopic ellipsometry investigations. Angular resolved photoemission reveals topologically protected surface states of the Bi2Te3 epilayers. Thus, BaF2 is a perfectly suited substrate material for the bismuth telluride compounds.
ER  -

CAHA, Ondřej, Adam DUBROKA, Josef HUMLÍČEK, Václav HOLÝ, Hubert STEINER, M. UL-HASSAN, Jaime SANCHEZ-BARRIGA, Oliver RADER, T. N. STANISLAVCHUK, Andrei A. SIRENKO, Günther BAUER a Günter SPRINGHOLZ. Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates. \textit{Crystal Growth \&{} Design}. Washington: American Chemical Society, 2013, roč.~13, č.~8, s.~3365-3373. ISSN~1528-7483. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1021/cg400048g.

Podrobný výpis o publikaci