FRANTA, Daniel, David NEČAS, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Ivan OHLÍDAL a Jiří STUCHLÍK. Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films. Thin Solid Films. Lausanne: Elsevier Science, 2013, roč. 541, Aug, s. 12-16. ISSN 0040-6090. doi:10.1016/j.tsf.2013.04.129.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films
Autoři FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant, domácí), David NEČAS (203 Česká republika, domácí), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika, domácí), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, domácí) a Jiří STUCHLÍK (203 Česká republika).
Vydání Thin Solid Films, Lausanne, Elsevier Science, 2013, 0040-6090.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Švýcarsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 1.867
Kód RIV RIV/00216224:14740/13:00071634
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129
UT WoS 000323140600004
Klíčová slova anglicky Ellipsometry; Spectrophotometry; a-Si:H; Urbach tail; Localized states; Sum rule
Štítky podil, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Olga Křížová, učo 56639. Změněno: 6. 4. 2014 08:25.
Anotace
Amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) films deposited on glass and crystalline silicon substrates are analyzed using a multi-sample method combining ellipsometry and spectrophotometry in a spectral range of 0.046–8.9 eV, utilizing an analytical dispersion model based on parametrization of joint density of states and application of sum rule. This model includes all absorption processes from phonon absorption to core electron excitations. It is shown that if films deposited on both substrates are characterized together it is possible to study both phonon absorption and weak absorption processes below the band gap, i.e. the Urbach tail and absorption on localized states.
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 5. 12. 2021 03:28