J 2014

3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon

FALUB, Claudiu Valentin, Thomas KREILIGER, Fabio ISA, Alfonso TABOADA, Mojmír MEDUŇA et. al.

Základní údaje

Originální název

3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon

Název česky

3D heteroepitaxe nepřízpůsobených polovodičů na křemíku

Autoři

FALUB, Claudiu Valentin (642 Rumunsko), Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko), Fabio ISA (380 Itálie), Alfonso TABOADA (724 Španělsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), Fabio PEZZOLI (380 Itálie), Roberto BERGAMASCHINI (380 Itálie), Anna MARZEGALLI (380 Itálie), Elisabeth MÜLLER (756 Švýcarsko), Daniel CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko), Giovanni ISELLA (380 Itálie), Antonia NEELS (756 Švýcarsko), Philippe NIEDERMANN (756 Švýcarsko), Alex DOMMANN (756 Švýcarsko), Leo MIGLIO (380 Itálie) a Hans VON KÄNEL (756 Švýcarsko)

Vydání

Thin Solid Films, Lausanne (Switzerland), Elsevier, 2014, 0040-6090

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 1.759

Kód RIV

RIV/00216224:14740/14:00075285

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.094

UT WoS

000333968300009

Klíčová slova česky

monolitiocka integrace; epitaxní růst; Ge; GaAs; vzorkované Si substráty; skenovací rtg nanodifrakce; luminescence za pokojové teploty; rtg detektory

Klíčová slova anglicky

Monolithic integration; Epitaxial growth; Ge; GaAs; Patterned Si substrates; Scanning X-ray nano-diffraction; Room-temperature photoluminescence; X-ray detectors

Štítky

kontrola MP, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 13. 3. 2018 10:44, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

We present a method for monolithically integrating mismatched semiconductor materials with Si, coined three-dimensional (3D) heteroepitaxy. The method comprises the replacement of conventional, continuous epilayers by dense arrays of strain- and defect-free, micron-sized crystals.

Česky

Prezentujeme metodu pro monolitickou integraci nepřizpůsoobených polovodičových materiálů s Si, s šD epitaxí.

Návaznosti

CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU
Název: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV
Název: CEITEC - central european institute of technology
EE2.3.20.0027, projekt VaV
Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií
Zobrazeno: 5. 11. 2024 06:54