FALUB, Claudiu Valentin, Thomas KREILIGER, Fabio ISA, Alfonso TABOADA, Mojmír MEDUŇA, Fabio PEZZOLI, Roberto BERGAMASCHINI, Anna MARZEGALLI, Elisabeth MÜLLER, Daniel CHRASTINA, Giovanni ISELLA, Antonia NEELS, Philippe NIEDERMANN, Alex DOMMANN, Leo MIGLIO a Hans VON KÄNEL. 3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon. Thin Solid Films. Lausanne (Switzerland): Elsevier, roč. 557, 30 April 2014, s. 42-49. ISSN 0040-6090. doi:10.1016/j.tsf.2013.10.094. 2014.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název 3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon
Název česky 3D heteroepitaxe nepřízpůsobených polovodičů na křemíku
Autoři FALUB, Claudiu Valentin (642 Rumunsko), Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko), Fabio ISA (380 Itálie), Alfonso TABOADA (724 Španělsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), Fabio PEZZOLI (380 Itálie), Roberto BERGAMASCHINI (380 Itálie), Anna MARZEGALLI (380 Itálie), Elisabeth MÜLLER (756 Švýcarsko), Daniel CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko), Giovanni ISELLA (380 Itálie), Antonia NEELS (756 Švýcarsko), Philippe NIEDERMANN (756 Švýcarsko), Alex DOMMANN (756 Švýcarsko), Leo MIGLIO (380 Itálie) a Hans VON KÄNEL (756 Švýcarsko).
Vydání Thin Solid Films, Lausanne (Switzerland), Elsevier, 2014, 0040-6090.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Nizozemské království
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 1.759
Kód RIV RIV/00216224:14740/14:00075285
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.094
UT WoS 000333968300009
Klíčová slova česky monolitiocka integrace; epitaxní růst; Ge; GaAs; vzorkované Si substráty; skenovací rtg nanodifrakce; luminescence za pokojové teploty; rtg detektory
Klíčová slova anglicky Monolithic integration; Epitaxial growth; Ge; GaAs; Patterned Si substrates; Scanning X-ray nano-diffraction; Room-temperature photoluminescence; X-ray detectors
Štítky kontrola MP, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D., učo 7898. Změněno: 13. 3. 2018 10:44.
Anotace
We present a method for monolithically integrating mismatched semiconductor materials with Si, coined three-dimensional (3D) heteroepitaxy. The method comprises the replacement of conventional, continuous epilayers by dense arrays of strain- and defect-free, micron-sized crystals.
Anotace česky
Prezentujeme metodu pro monolitickou integraci nepřizpůsoobených polovodičových materiálů s Si, s šD epitaxí.
Návaznosti
CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MUNázev: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
EE2.3.20.0027, projekt VaVNázev: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií
VytisknoutZobrazeno: 20. 4. 2024 02:12