MEDUŇA, Mojmír, Claudiu Valentin FALUB, Fabio ISA, Daniel CHRASTINA, Thomas KREILIGER, Giovanni ISELLA, Alfonso TABOADA, Philippe NIEDERMANN a Hans VON KÄNEL. X-Ray Nano-Diffraction on Epitaxial Crystals. Quantum Matter. American Scientific Publishers, roč. 3, č. 4, s. 290-296. ISSN 2164-7615. doi:10.1166/qm.2014.1127. 2014.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název X-Ray Nano-Diffraction on Epitaxial Crystals
Název česky Rtg nano-difrakce na epitaxních krystalech
Autoři MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant, domácí), Claudiu Valentin FALUB (642 Rumunsko), Fabio ISA (380 Itálie), Daniel CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko), Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko), Giovanni ISELLA (380 Itálie), Alfonso TABOADA (724 Španělsko), Philippe NIEDERMANN (756 Švýcarsko) a Hans VON KÄNEL (756 Švýcarsko).
Vydání Quantum Matter, American Scientific Publishers, 2014, 2164-7615.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Kód RIV RIV/00216224:14740/14:00075287
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
Doi http://dx.doi.org/10.1166/qm.2014.1127
Klíčová slova česky bezdefektní; epitaxní Ge krystaly; nepřizpůsobená mřížka; nepřizpůsobená teplotní roztažnost; rtg nanodifrakce
Klíčová slova anglicky defect-free; epitaxial ge-crystals; lattice mismatch; si substrates; thermal expansion mismatch; x-ray nanodiffraction
Štítky kontrola MP, rivok, WOS
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D., učo 7898. Změněno: 13. 3. 2018 10:48.
Anotace
The concept of growing epitaxial Ge and SiGe crystals onto tall Si pillars may provide a means for solving the problems associated with lattice parameter and thermal expansion coefficient mismatch, i.e., dislocations, wafer bowing and cracks. For carefully tuned epitaxial growth conditions the lateral expansion of crystals stops once nearest neighbors get sufficiently close. We have carried out scanning nano-diffraction experiments at the ID01 beam-line of the European Synchrotron Radiation Facility (ESRF) in Grenoble on the resulting space-filling arrays of micron-sized crystals to assess their structural properties and crystal quality. Elastic relaxation of the thermal strain causes lattice bending close to the Si interface, while the dislocation network is responsible for minute tilts of the crystals as a whole. To exclude any interference from nearest neighbors, individual Ge crystals were isolated first by chemical etching followed by micro-manipulation inside a scanning electron microscope. This permitted us to scan an X-ray beam, focused to a spot a few hundreds of nm in size, along the height of a single crystal and to record three-dimensional reciprocal space maps at chosen heights. The resolution limited width of the scattered X-ray beams reveals that the epitaxial structures evolve into perfect single crystals sufficiently far away from the heavily dislocated interface.
Anotace česky
Koncept růstu epitaxních Ge a SiGe krystalů na vysokých Si pilířích může poskytovat řešení problémů spojených s rozdílním mřížkovým parametrem a tepelnou roztažností, dislokace, ohyb desek a praskání. Omezená šířka rozlišení svazku odhaluje že epitaxní struktury se vyvinou v perfektní dokonalé krystaly daleko do tžce narušeného povrchu.
Návaznosti
CZ.1.05/1.1.00/02.0068, interní kód MUNázev: CEITEC - středoevropský technologický institut (Akronym: CEITEC)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC - středoevropský technologický institut, 1.1 Evropská centra excelence
CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MUNázev: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
VytisknoutZobrazeno: 29. 3. 2024 11:24