FRANK, Christian, Jiří NOVÁK, Rupak BANERJEE, Alexander GERLACH, Frank SCHREIBER, Alexei VOROBIEV and Stefan KOWARIK. Island size evolution and molecular diffusion during growth of organic thin films followed by time-resolved specular and off-specular scattering. Physical Review B. Maryland (USA): The American Physical Society, 2014, vol. 90, No 4, p. "045410-1"-"045410-6", 6 pp. ISSN 1098-0121. Available from: https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.045410.
Other formats:   BibTeX LaTeX RIS
Basic information
Original name Island size evolution and molecular diffusion during growth of organic thin films followed by time-resolved specular and off-specular scattering
Name in Czech Vývoj velikosti ostrůvků a molekulární difuze během růstu tenkých vrstev organických polovodičů studovaný pomocí časově rozlišeného spekulárního a difuzního rozptylu
Authors FRANK, Christian (276 Germany), Jiří NOVÁK (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Rupak BANERJEE (356 India), Alexander GERLACH (276 Germany), Frank SCHREIBER (276 Germany), Alexei VOROBIEV (643 Russian Federation) and Stefan KOWARIK (276 Germany).
Edition Physical Review B, Maryland (USA), The American Physical Society, 2014, 1098-0121.
Other information
Original language English
Type of outcome Article in a journal
Field of Study 10302 Condensed matter physics
Country of publisher United States of America
Confidentiality degree is not subject to a state or trade secret
WWW URL
Impact factor Impact factor: 3.736
RIV identification code RIV/00216224:14740/14:00076244
Organization unit Central European Institute of Technology
Doi http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.045410
UT WoS 000339094100006
Keywords (in Czech) Růst tenkých filmů; organické polovodiče; rentgenový rozptyl; depozice molekulovým svazkem
Keywords in English Thin film growth; organic semiconductors; X-ray scattering; molecular beam deposition
Tags Diffusion, GISAXS, kontrola MP, organic semiconductors, rivok
Tags International impact, Reviewed
Changed by Changed by: Martina Prášilová, učo 342282. Changed: 2/4/2015 08:45.
Abstract
We report on a combined off-specular and specular x-ray scattering growth study of ultrathin films of the prototypical organic semiconductor diindenoperylene (DIP, C32H16). We investigate the evolution of the in-plane correlation length and the growth kinetics of the films including their dependence on the substrate temperature and the growth rate. We observe a temperature-dependent collective rearrangement of DIP molecules from a transient surface induced to the thin-film phase, which can be rationalized by incorporating a thickness-dependent out-of-plane lattice parameter. We further observe that the nucleation behavior of DIP changes from the first to the second monolayer, which we relate to a difference in the diffusion length of the molecules.
Abstract (in Czech)
Článek popisuje výsledky kombinované studie ultra-tenkých vrstev prototypického organického polovodiče diindenoperylenu (DIP, C32H16) pomocí difuzního a spekulárního rozptylu rentgenového záření. Zkoumáme vývoj laterálních korelačních délek a růstovou kinetiku včetně jejich závislosti na teplotě substrátu a rychlosti růstu. Pozorujeme teplotně závislé kolektivní přeuspořádání DIP molekul z přechodné povrchově indukované tenkovrstvé fáze, které může být vysvětleno zavedením závislosti mřížkového parametru ve směru růstu na tloušťce vrstvy. Dále pozorujeme odlišnou nukleaci DIP molekul v první a druhé mono-vrstvě, která je důsledkem rozdílu v laterálních difuzních délkách molekul v daných vrstvách.
Links
ED1.1.00/02.0068, research and development projectName: CEITEC - central european institute of technology
286154, interní kód MUName: SYLICA - Synergies of Life and Material Sciences to Create a New Future (Acronym: SYLICA)
Investor: European Union, Capacities
PrintDisplayed: 2/6/2024 18:53