MÜNZ, Filip and Josef HUMLÍČEK. Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI (Apparatus to measure thickness of SOI semiconductor layered structures). 2014.
Other formats:   BibTeX LaTeX RIS
Basic information
Original name Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI
Name in Czech Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI
Name (in English) Apparatus to measure thickness of SOI semiconductor layered structures
Authors MÜNZ, Filip (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution) and Josef HUMLÍČEK (203 Czech Republic, belonging to the institution).
Edition 2014.
Other information
Original language Czech
Type of outcome Legally protected outcomes
Field of Study 10302 Condensed matter physics
Country of publisher Czech Republic
Confidentiality degree is not subject to a state or trade secret
WWW URL
RIV identification code RIV/00216224:14310/14:00073312
Organization unit Faculty of Science
Keywords (in Czech) tenké vrstvy; mapování; spektroskopie
Keywords in English thin layer; mapping; spectroscopy
Tags AKR, rivok, SOI mapping
Changed by Changed by: Ing. Andrea Mikešková, učo 137293. Changed: 2/4/2015 16:02.
Abstract
Technické řešení se týká zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI optickou metodou ve VIS/NIR oblasti s přesností cca 30 nm v rozsahu 1-10 mikrometrů; zahrnuje zdroj záření, optická vlákna, skener, spektrometr, řídící elektroniku a počítač.
Abstract (in English)
Technical solution targets measurements of thickness of SOI layered semiconductor structures through optical means in VIS/NIR range with precision of 30 nm in 1-10 micron range; it comprises a light source, optical fibers, scanner, spectrometer, control electronics and computer
Links
TA01010078, research and development projectName: Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace (Acronym: ONSEMI)
Investor: Technology Agency of the Czech Republic
PrintDisplayed: 12/5/2024 18:32