FRANTA, Daniel, David NEČAS, Lenka ZAJÍČKOVÁ a Ivan OHLÍDAL. Dispersion model of two-phonon absorption: application to c-Si. OPTICAL MATERIALS EXPRESS. WASHINGTON: OPTICAL SOC AMER, 2014, roč. 4, č. 8, s. 1641-1656. ISSN 2159-3930. doi:10.1364/OME.4.001641.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Dispersion model of two-phonon absorption: application to c-Si
Autoři FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant, domácí), David NEČAS (203 Česká republika, domácí), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika, domácí) a Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, domácí).
Vydání OPTICAL MATERIALS EXPRESS, WASHINGTON, OPTICAL SOC AMER, 2014, 2159-3930.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10306 Optics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 2.844
Kód RIV RIV/00216224:14310/14:00073318
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1364/OME.4.001641
UT WoS 000341647900016
Klíčová slova anglicky HFO2 THIN-FILMS; LATTICE ABSORPTION; OPTICAL-PROPERTIES; SILICON; DEPOSITION
Štítky AKR, kontrola MP, podil, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Martina Prášilová, učo 342282. Změněno: 18. 3. 2015 10:02.
Anotace
A dispersion model describing two-phonon absorption is developed using several simplifications of the quasiparticle approach. The dielectric response is constructed from absorption bands corresponding to individual additive and subtractive combinations of phonon branches. The model also includes thermal effects, changes of the transition strength with temperature, originating in Bose-Einstein statistics, and the shift of phonon frequencies accompanying thermal expansion. The model is applied to the analysis of experimental data measured in the IR range on crystalline silicon. The modeled spectral dependencies of optical constants are capable of describing all features in the transmittance spectra 70-1000 cm(-1) observable at 300K for float-zone silicon. The phonon frequencies in the points of symmetry are obtained independently in good agreement with ab initio calculations. The model of thermal effects is verified using ellipsometric measurements 300-1000 cm(-1) in the temperature range of 300-500 K. The agreement between the modeled and experimental data is good, except for the spectral range 750-850 cm(-1), in which a better agreement at temperatures above 300K would require including the three-phonon absorption. The analysis provides a reliable value of the thermal coefficient describing the phonon frequency shift and proves that changes of structure broadening with temperature are negligible within the temperature range of 300-500 K. (C) 2014 Optical Society of America
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
TA02010784, projekt VaVNázev: Optimalizace vrstevnatých systémů používaných v optickém průmyslu
Investor: Technologická agentura ČR, Optimalizace vrstevnatých systémů používaných v optickém průmyslu
VytisknoutZobrazeno: 18. 5. 2022 08:04