Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on
Si(001) and Si(111) patterned substrates

J 2015

Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

ISA, Fabio; Fabio PEZZOLI; G. ISELLA; Mojmír MEDUŇA; C.V. FALUB et. al.

Základní údaje

Originální název

Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

Název česky

3D Ge/SiGe mnohonásobné kvantové jámy deponované na Si(001) a Si(111) vzorkované substráty

Autoři

ISA, Fabio; Fabio PEZZOLI; G. ISELLA; Mojmír MEDUŇA; C.V. FALUB; E. MÜLLER; Thomas KREILIGER; A. G. TABOADA; Hans VON KAENEL a Leo MIGLIO

Vydání

Semiconductor Science and Technology, Bristol (Velká Britanie), IOP Publishing Ltd, 2015, 0268-1242

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 2.098

Kód RIV

RIV/00216224:14740/15:00085353

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

https://doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001

UT WoS

000362602300009

EID Scopus

2-s2.0-84945151824

Klíčová slova česky

mnohonásobné kvantové jámy; Si Ge; fotoluminiscence; epitaxe, kvalita krystalů

Klíčová slova anglicky

multiple quantum wells; silicon germanium; photoluminescence; epitaxy; crystal quality

Štítky

rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 13. 3. 2018 10:41, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

In this work we address three-dimensional heterojunctions, demonstrating that photoluminescence from defect-free, Ge/SiGe multiple quantum well (MQW) micro-crystals grown on deeply patterned Si(001) and Si(111) substrates exhibit similar radiative intensity and analogous spectral shape.

Česky

V této práci prezentujeme 3D heteropřechody ukazující, že fotoluminescence z bezdefektních Ge/SiGe mnohonásobných kvantových jam (MQW) mikrokrystalů pěstovaných na hluboce vzorkovaných Si(001) a Si(111) substrátech vykazují podobné radiační intenzity a analogický spektrální tvar.

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

EE2.3.20.0027, projekt VaV

Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií

LM2011020, projekt VaV

Název: CEITEC ? open access

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC - open access

Citovat

ISA, Fabio; Fabio PEZZOLI; G. ISELLA; Mojmír MEDUŇA; C.V. FALUB; E. MÜLLER; Thomas KREILIGER; A. G. TABOADA; Hans VON KAENEL a Leo MIGLIO. Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates. Semiconductor Science and Technology. Bristol (Velká Britanie): IOP Publishing Ltd, 2015, roč. 30, č. 10, s. nestránkováno, 9 s. ISSN 0268-1242. Dostupné z: https://doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001.

@article{1321920,
   author = {Isa, Fabio and Pezzoli, Fabio and Isella, G. and Meduňa, Mojmír and Falub, C.V. and Müller, E. and Kreiliger, Thomas and Taboada, A. G. and von Kaenel, Hans and Miglio, Leo},
   article_location = {Bristol (Velká Britanie)},
   article_number = {10},
   doi = {https://doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001},
   keywords = {multiple quantum wells; silicon germanium; photoluminescence; epitaxy; crystal quality},
   language = {eng},
   issn = {0268-1242},
   journal = {Semiconductor Science and Technology},
   title = {Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates},
   volume = {30},
   year = {2015}
}

TY  - JOUR
ID  - 1321920
AU  - Isa, Fabio - Pezzoli, Fabio - Isella, G. - Meduňa, Mojmír - Falub, C.V. - Müller, E. - Kreiliger, Thomas - Taboada, A. G. - von Kaenel, Hans - Miglio, Leo
PY  - 2015
TI  - Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates
JF  - Semiconductor Science and Technology
VL  - 30
IS  - 10
SP  - nestránkováno
EP  - nestránkováno
PB  - IOP Publishing Ltd
SN  - 02681242
KW  - multiple quantum wells
KW  - silicon germanium
KW  - photoluminescence
KW  - epitaxy
KW  - crystal quality
N2  - In this work we address three-dimensional heterojunctions, demonstrating that photoluminescence from defect-free, Ge/SiGe multiple quantum well (MQW) micro-crystals grown on deeply patterned Si(001) and Si(111) substrates exhibit similar radiative intensity and analogous spectral shape.
ER  -

ISA, Fabio; Fabio PEZZOLI; G. ISELLA; Mojmír MEDUŇA; C.V. FALUB; E. MÜLLER; Thomas KREILIGER; A. G. TABOADA; Hans VON KAENEL a Leo MIGLIO. Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates. \textit{Semiconductor Science and Technology}. Bristol (Velká Britanie): IOP Publishing Ltd, 2015, roč.~30, č.~10, s.~nestránkováno, 9 s. ISSN~0268-1242. Dostupné z: https://doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001.

Přehled o publikaci