Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots

KŘÁPEK, Vlastimil, Petr KLENOVSKÝ a Tomáš ŠIKOLA. Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots. Physical Review B. COLLEGE PK: The American Physical Society, roč. 92, č. 19, s. "nestránkováno", 9 s. ISSN 1098-0121. doi:10.1103/PhysRevB.92.195430. 2015.

Základní údaje

• Originální název: Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots
• Autoři: KŘÁPEK, Vlastimil (203 Česká republika), Petr KLENOVSKÝ (203 Česká republika, garant, domácí) a Tomáš ŠIKOLA (203 Česká republika).
• Vydání: Physical Review B, COLLEGE PK, The American Physical Society, 2015, 1098-0121.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Spojené státy
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 3.736 v roce 2014
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/15:00080412
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Doi: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.195430
• UT WoS: 000365507900004
• Klíčová slova anglicky: POLARIZATION-ENTANGLED PHOTONS; WAVELENGTH LIGHT-EMISSION; STRAIN-REDUCING LAYER; OPTICAL-PROPERTIES; MU-M; GAASSB; NANOCRYSTALS; PHOTOLUMINESCENCE; LOCALIZATION; RELAXATION
• Štítky: AKR, rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

Excitonic fine structure splitting in quantum dots is closely related to the lateral shape of the wave functions. We have studied theoretically the fine structure splitting in InAs quantum dots with a type-II confinement imposed by a GaAsSb capping layer. We show that very small values of the fine structure splitting comparable with the natural linewidth of the excitonic transitions are achievable for realistic quantum dots despite the structural elongation and the piezoelectric field. For example, varying the capping layer thickness allows for a fine tuning of the splitting energy. The effect is explained by a strong sensitivity of the hole wave function to the quantum dot structure and a mutual compensation of the electron and hole anisotropies. The oscillator strength of the excitonic transitions in the studied quantum dots is comparable to those with a type-I confinement which makes the dots attractive for quantum communication technology as emitters of polarization-entangled photon pairs.

Návaznosti

• CZ.1.07/2.3.00/20.0027, interní kód MU(Kód CEP: EE2.3.20.0027): Název: NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií (Akronym: NANOE)

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií, 2.3 Lidské zdroje ve výzkumu a vývoji

• ED1.1.00/02.0068, projekt VaV: Název: CEITEC - central european institute of technology
• MUNI/A/1496/2014, interní kód MU: Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV

Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů IV, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty

• TH01010419, projekt VaV: Název: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)

Investor: Technologická agentura ČR, Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)