FRANTA, Daniel, David NEČAS a Ivan OHLÍDAL. Universal dispersion model for characterization of optical thin films over wide spectral range: Application to hafnia. Applied Optics. roč. 54, č. 31, s. 9108-9112, 12 s. ISSN 1559-128X. doi:10.1364/AO.54.009108. 2015.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Universal dispersion model for characterization of optical thin films over wide spectral range: Application to hafnia
Autoři FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant, domácí), David NEČAS (203 Česká republika, domácí) a Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, domácí).
Vydání Applied Optics, 2015, 1559-128X.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.598
Kód RIV RIV/00216224:14310/15:00080435
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1364/AO.54.009108
UT WoS 000364455800043
Klíčová slova anglicky Thin films; Dispersion; Ellipsometry; Spectrophotometry; Far IR; Vacuum UV
Štítky AKR, podil, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Ing. Andrea Mikešková, učo 137293. Změněno: 30. 3. 2016 12:42.
Anotace
A dispersion model capable of expressing the dielectric response of a broad class of optical materials in a wide spectral range from far IR to vacuum UV is described in detail. The application of this Universal Dispersion Model to a specific material is demonstrated using the ellipsometric and spectrophotometric characterization of a hafnia film prepared by vacuum evaporation on silicon substrate. The characterization utilizes simultaneous processing of data from multiple techniques and instruments covering the wide spectral range and includes the characterization of roughness, non-uniformity, transition layer and native oxide layer on the back of the substrate. It is shown how the combination of measurements in light reflected from both side of the sample and transmitted light allows the separation of weak absorption in film and substrate. This approach is particularly useful in the IR region where the absorption structures in films and substrates often overlap and a prior measurement of bare substrate may be otherwise necessary for precise separation. Individual phenomena that contribute to the dielectric response, i.e. interband electronic transitions, electronic excitations involving the localized states and phonon absorption, are discussed in detail. A quantitative analysis of absorption on localized states, permitting the separation of transitions between localized states from transitions between localized and extended states, is utilized to obtain estimates of density of localized states and film stoichiometry.
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
LO1411, projekt VaVNázev: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
TA02010784, projekt VaVNázev: Optimalizace vrstevnatých systémů používaných v optickém průmyslu
Investor: Technologická agentura ČR, Optimalizace vrstevnatých systémů používaných v optickém průmyslu
VytisknoutZobrazeno: 28. 3. 2024 12:56