J
2017
Atmospheric pressure plasma etching of silicon dioxide using diffuse coplanar surface barrier discharge generated in pure hydrogen
KRUMPOLEC, Richard, Jan ČECH, Jana JURMANOVÁ, Pavol ĎURINA, Mirko ČERNÁK et. al.
Základní údaje
Originální název
Atmospheric pressure plasma etching of silicon dioxide using diffuse coplanar surface barrier discharge generated in pure hydrogen
Vydání
Surface & coatings technology, LAUSANNE, SWITZERLAND, Elsevier, 2017, 0257-8972
Další údaje
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Nizozemské království
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 2.906
Kód RIV
RIV/00216224:14310/17:00095958
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky
DCSBD; Hydrogen plasma; Low temperature; SiO2; etching; Atmospheric pressure
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
V originále
We report on the method of dry etching of silicon dioxide (SiO2) layers by cold plasma treatment at atmospheric pressure in pure hydrogen using Diffuse Coplanar Surface Barrier Discharge (DCSBD). The SiO2 etching rate was estimated at ~ 1 nm/min. The studied plasma process was found to be the composition of plasma induced reduction and etching. The changes in surface morphology of etched samples were observed by scanning electron microscopy. X-ray photoelectron spectroscopy analysis was applied to identify the surface chemical changes due to the reduction processes. Two regimes of plasma treatment were examined. While the dynamic treatment, where the treated surface was moved relative to the plasma source, led to a homogeneous process, the treatment in static conditions resulted in a stripe-type pattern on the surface of the samples reflecting the electrode structure of the plasma source. The results provide a basis for a new and simple way to prepare clean, native oxide free silicon surfaces in dry plasma process at atmospheric pressure.
Návaznosti
ED2.1.00/03.0086, projekt VaV | Název: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy |
|
LO1411, projekt VaV | Název: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus) | Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy |
|
Zobrazeno: 28. 10. 2024 14:21