D
2017
MEASUREMENT OF OH RADICALS GENERATED IN DIFFUSE COPLANAR SURFACE BARRIER DISCHARGE
TUČEKOVÁ, Zlata, Vojtěch PROCHÁZKA, Pavel DVOŘÁK, Dušan KOVÁČIK, Anna ZAHORANOVÁ et. al.
Základní údaje
Originální název
MEASUREMENT OF OH RADICALS GENERATED IN DIFFUSE COPLANAR SURFACE BARRIER DISCHARGE
Název česky
Meření OH radikálú generovaných Difúzním koplanárním povrchovým bariérovým výbojem
Vydání
Bratislava, Slovakia, 21st Symposium on Application of Plasma Processes SAPP XXI Book of Contributed Papers, od s. 130-132, 3 s. 2017
Nakladatel
Department of Experimental Physics, Faculty of Mathematics, Physics and Informatics, Comenius University in Bratislava; Society for Plasma Research and Applications in cooperation with Library and Publishing Centre CU, Bratislava, Slovakia
Další údaje
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Forma vydání
paměťový nosič (CD, DVD, flash disk)
Kód RIV
RIV/00216224:14310/17:00096612
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova česky
OH radikál; atmosférická plazma; koplanární výboj; LIF
Klíčová slova anglicky
OH radical; atmospheric pressure plasma; coplanar discharge; LIF
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
V originále
The presented contribution deals with Diffuse Coplanar Surface Barrier Discharge (DCSBD) generated in ambient air and in pure water vapour at temperature more than 100°C at atmospheric pressure. The generation of OH radicals was investigated by spatially resolved laser induced fluorescence spectroscopy and the absolute density was estimated to increase approximately 10 times in the pure water vapour plasma.
Česky
Příspěvek prezentuje fluorescenční měření OH radikálů v koplanárním dielektrickém bariérovém výboji generovaném za atmosférického tlaku v okolním vzduchu nebo v čisté vodní páře vyhřívané nad 100°C. Byla provedena prostorově rozlišená měření a bylo zjištěno, že ve výboji ve vodní páře byla koncentrace OH radikálů přibližně 10-krát vyšší než ve výboji ve vzduchu.
Návaznosti
CZ.1.05/2.1.00/03.0086, interní kód MU | Název: CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy | Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy, 2.1 Regionální VaV centra |
|
LO1411, projekt VaV | Název: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus) | Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy |
|
Zobrazeno: 9. 11. 2024 00:23