Strain Engineering in Highly Mismatched SiGe/Si Heterostructures

Deformační inženýrství ve velmi nepřizpůsobených SiGe/Si Heterostrukturách

ISA, Fabio (756 Švýcarsko), Arik JUNG (756 Švýcarsko), Marco SALVALAGLIO (276 Německo), Yadira Arroyo Rojas DASILVA (756 Švýcarsko), Ivan MAROZAU (756 Švýcarsko), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), Michael BARGET (380 Itálie), Anna MARZEGALLI (380 Itálie), Giovanni ISELLA (380 Itálie), Rolf ERNI (756 Švýcarsko), Fabio PEZZOLI (380 Itálie), Emiliano BONERA (380 Itálie), Philippe NIEDERMANN (756 Švýcarsko), Olha SEREDA (756 Švýcarsko), Pierangelo GRONING (756 Švýcarsko), Francesco MONTALENTI (380 Itálie) a Hans VON KAENEL (756 Švýcarsko)

Materials Science in Semiconductor Processing, Oxford, Elsevier Science, 2017, 1369-8001

angličtina

Článek v odborném periodiku

10302 Condensed matter physics

Velká Británie a Severní Irsko

není předmětem státního či obchodního tajemství

URL

RIV/00216224:14310/17:00097339

Přírodovědecká fakulta

000410870900022

Deformační inženýrství; Dislokace; Elastická relaxace; Vzorkované substráty; SiGe

Strain engineering; Dislocations; Elastic relaxation; Patterned substrates; SiGe

NZ, rivok

Mezinárodní význam, Recenzováno