FRANTA, Daniel, Minna Paula Katriina KOTILAINEN, Richard KRUMPOLEC a Ivan OHLÍDAL. Optical characterization of hafnia films deposited by ALD on copper cold-rolled sheets by difference ellipsometry. Online. Applied Surface Science. AMSTERDAM: ELSEVIER SCIENCE BV, 2017, roč. 421, November, s. 420-423. ISSN 0169-4332. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.12.164. [citováno 2024-04-24]
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Optical characterization of hafnia films deposited by ALD on copper cold-rolled sheets by difference ellipsometry
Autoři FRANTA, Daniel (203 Česká republika, domácí), Minna Paula Katriina KOTILAINEN (246 Finsko, domácí), Richard KRUMPOLEC (703 Slovensko, domácí) a Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, domácí)
Vydání Applied Surface Science, AMSTERDAM, ELSEVIER SCIENCE BV, 2017, 0169-4332.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Nizozemské království
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 4.439
Kód RIV RIV/00216224:14310/17:00097950
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.12.164
UT WoS 000408756700024
Klíčová slova anglicky Hafnia; Ellipsometry; Atomic layer deposition; Solar absorber
Štítky NZ, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Ing. Nicole Zrilić, učo 240776. Změněno: 10. 4. 2018 11:43.
Anotace
Hafnium oxide (HfO2) thin films could be potentially used as thermal diffusion barrier coatings for copper absorbers used in solar thermal collectors. Atomic layer deposition (ALD) was used to deposit thin, dense, non-columnar HfO2 films on copper sheets, which are established base materials for solar absorbers. The aim of this work is to find a simple and efficient method for quantitative characterization of thin hafnium oxide films deposited on imperfect rough copper sheets. The difference ellipsometry applied in infrared region was found to be a practical tool for non-destructive characterization of thin films deposited onto metal surfaces even when these surfaces are imperfect. The presented method enables us not only to identify the presence of hafnium oxide but also to perform quantitative characterization, i.e. to determine the thickness of the film. Moreover, a simple method, in which the thickness is determined from the height of the structure in the difference ellipsometric data, is presented. This method is demonstrated on HfO2 film with nominal thickness 60 nm deposited by ALD on copper cold-rolled sheet.
Návaznosti
LO1411, projekt VaVNázev: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy (Akronym: CEPLANT plus)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 24. 4. 2024 12:16