Detailed Information on Publication Record
2018
Lattice tilt and strain mapped by X-ray scanning nanodiffraction in compositionally graded SiGe/Si microcrystals
MEDUŇA, Mojmír, Fabio ISA, Arik JUNG, Anna MARZEGALLI, Marco ALBANI et. al.Basic information
Original name
Lattice tilt and strain mapped by X-ray scanning nanodiffraction in compositionally graded SiGe/Si microcrystals
Name in Czech
Mřížkový sklon a deformace mapované rtg skenováním pomocí nanodifrakce v kompozičně gradovaných SiGe/ Si mikrokrystalech
Authors
MEDUŇA, Mojmír (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Fabio ISA (380 Italy), Arik JUNG (756 Switzerland), Anna MARZEGALLI (380 Italy), Marco ALBANI (380 Italy), Giovanni ISELLA (380 Italy), Kai ZWEIACKER (756 Switzerland), Leo MIGLIO (380 Italy) and Hans VON KÄNEL (756 Switzerland)
Edition
Journal of Applied Crystallography, Chester, INT UNION CRYSTALLOGRAPHY, 2018, 1600-5767
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
References:
Impact factor
Impact factor: 2.867
RIV identification code
RIV/00216224:14310/18:00102267
Organization unit
Faculty of Science
UT WoS
000429090100016
Keywords (in Czech)
skenovací rentgenová nanodifrakce; prohnutí mřížky; gradované mikrokrystaly SiGe; uvolnění pnutí
Keywords in English
scanning X-ray nanodiffraction; lattice bending; graded SiGe microcrystals; strain relaxation
Tags
Tags
International impact, Reviewed
Změněno: 10/1/2019 11:07, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
The scanning X-ray nanodiffraction technique is used to reconstruct the three- dimensional (3D) distribution of lattice strain and Ge concentration in compositionally graded Si1-xGex microcrystals epitaxially grown on Si pillars.
In Czech
Skenovací rentgenová nanodifrační technika se používá k rekonstrukci třírozměrné (3D) distribuce mřížové deformace a koncentrace Ge v kompozičně gradovaných mikrokrystalech Si1-xGex epitaxiálně rostlých na pilířích Si.
Links
CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_013/0001728, interní kód MU |
| ||
ED1.1.00/02.0068, research and development project |
|