SCHÄFER, Jan, Katja FRICKE, František MIKA, Zuzana POKORNÁ, Lenka ZAJÍČKOVÁ a Rudiger FOEST. Liquid assisted plasma enhanced chemical vapour deposition with a non-thermal plasma jet at atmospheric pressure. Thin Solid Films. Lausanne: Elsevier science, 2017, roč. 630, MAY, s. 71-78. ISSN 0040-6090. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.09.022.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Liquid assisted plasma enhanced chemical vapour deposition with a non-thermal plasma jet at atmospheric pressure
Autoři SCHÄFER, Jan (203 Česká republika), Katja FRICKE (276 Německo), František MIKA (203 Česká republika), Zuzana POKORNÁ (203 Česká republika), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika, garant, domácí) a Rudiger FOEST (276 Německo).
Vydání Thin Solid Films, Lausanne, Elsevier science, 2017, 0040-6090.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Velká Británie a Severní Irsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 1.939
Kód RIV RIV/00216224:14740/17:00100437
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.09.022
UT WoS 000401080700010
Klíčová slova anglicky Plasma jet; Liquid assisted plasma enhanced chemical vapour deposition; Silicon oxide; Hexamethyldisiloxane; Octamethyltetrasiloxane; Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane
Štítky OA, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Mgr. Pavla Foltynová, Ph.D., učo 106624. Změněno: 21. 3. 2018 10:03.
Anotace
The present study introduces a process for the synthesis of functional films onto substrates directly from the liquid phase. The reported method is based on the initialization of the synthesis by means of an atmospheric pressure plasma jet operating with argon above a thin liquid film of the starting material. The process is demonstrated by the formation of a thin, solid SiOx film from siloxane-based liquid precursors. Changes in the chemical properties of the precursor were studied in-situ during the polymerization process on the diamond crystal by using Fourier transform infrared spectroscopy The elemental composition of the SiOxCy films was analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Furthermore, XPS was applied to study the effect of post-annealing processes on the composition of the films. The obtained deposits exhibit a low concentration of carbon groups. The amount of hydroxyl groups and interstitial water can be reduced significantly by post-process annealing of the films. (C) 2016 The Author(s). Published by Elsevier B.V.
Návaznosti
LQ1601, projekt VaVNázev: CEITEC 2020 (Akronym: CEITEC2020)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC 2020
VytisknoutZobrazeno: 31. 8. 2024 20:25