STEINDL, Petr, Elisa Maddalena SALA, Benito ALÉN, David FUERTES MARRÓN, Dieter BIMBERG a Petr KLENOVSKÝ. Optical response of (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots embedded in a GaP matrix. Physical Review B. American Physical Society, 2019, roč. 100, č. 19, s. 195407-195425. ISSN 2469-9950. doi:10.1103/PhysRevB.100.195407.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Optical response of (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots embedded in a GaP matrix
Autoři STEINDL, Petr (203 Česká republika, domácí), Elisa Maddalena SALA (380 Itálie), Benito ALÉN (724 Španělsko), David FUERTES MARRÓN (724 Španělsko), Dieter BIMBERG (276 Německo) a Petr KLENOVSKÝ (203 Česká republika, garant, domácí).
Vydání Physical Review B, American Physical Society, 2019, 2469-9950.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 3.575
Kód RIV RIV/00216224:14310/19:00111207
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.100.195407
UT WoS 000495049700003
Klíčová slova anglicky quantum dots;III-V semiconductors;photoluminescence;k.p theory;type-I and type-II heterostructures
Štítky rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Mgr. Pavla Foltynová, Ph.D., učo 106624. Změněno: 27. 1. 2020 16:19.
Anotace
The optical response of (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots (QDs) grown on GaP (001) substrates is studied by means of excitation and temperature-dependent photoluminescence (PL), and it is related to their complex electronic structure. Such QDs exhibit concurrently direct and indirect transitions, which allows the swapping of Gamma and L quantum confined states in energy, depending on details of their stoichiometry. Based on realistic data on QD structure and composition, derived from high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurements, simulations by means of k.p theory are performed. The theoretical prediction of both momentum direct and indirect type-I optical transitions are confirmed by the experiments presented here. Additional investigations by a combination of Raman and photoreflectance spectroscopy show modifications of the hydrostatic strain in the QD layer, depending on the sequential addition of QDs and capping layer. A variation of the excitation density across four orders of magnitude reveals a 50-meV energy blueshift of the QD emission. Our findings suggest that the assignment of the type of transition, based solely by the observation of a blueshift with increased pumping, is insufficient. We propose therefore a more consistent approach based on the analysis of the character of the blueshift evolution with optical pumping, which employs a numerical model based on a semi-self-consistent configuration interaction method.
Návaznosti
LQ1601, projekt VaVNázev: CEITEC 2020 (Akronym: CEITEC2020)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Národní program udržitelnosti II (LQ)
8C18001, projekt VaVNázev: CMOS Compatible Single Photon Sources based on SiGe Quantum Dots (Akronym: CUSPIDOR)
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, ERA-NET, QUANTERA: Kvantové informační a komunikační vědy a technologie
VytisknoutZobrazeno: 29. 7. 2021 02:41