Detailed Information on Publication Record
2020
Zařízení pro zvýšení depoziční rychlosti HiPIMSu použitím balíčků pulzů
ČADA, Martin, Zdeněk HUBIČKA, Jaroslav HNILICA, Peter KLEIN, Petr VAŠINA et. al.Basic information
Original name
Zařízení pro zvýšení depoziční rychlosti HiPIMSu použitím balíčků pulzů
Name in Czech
Zařízení pro zvýšení depoziční rychlosti HiPIMSu použitím balíčků pulzů
Name (in English)
Device for deposition rate increase in HiPIMS using pulse packages
Authors
ČADA, Martin (203 Czech Republic), Zdeněk HUBIČKA (203 Czech Republic), Jaroslav HNILICA (203 Czech Republic, guarantor, belonging to the institution), Peter KLEIN (703 Slovakia, belonging to the institution) and Petr VAŠINA (203 Czech Republic, belonging to the institution)
Edition
2020
Other information
Language
Czech
Type of outcome
Technicky realizované výsledky (prototyp, funkční vzorek)
Field of Study
20506 Coating and films
Country of publisher
Czech Republic
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
RIV identification code
RIV/00216224:14310/20:00114917
Organization unit
Faculty of Science
Keywords in English
Sputtering; thin films; plasma; deposition; deposition rate; pulse package; ionization fraction
Technical parameters
V rámci optimalizace technologického postupu byl studován vliv délky pulzu, vzdálenosti mezi pulzy a počet pulzů.
Navržený funkční vzorek je charakterizován těmito depozičními podmínkami: materiál terče titan, střední výkon 1 kW, tlak 1 Pa, délka pulzu 30 us, vzdálenost mezi pulzy v balíčku 20us, počet pulzů 4, magnetické pole otevřené.
Změněno: 16/2/2021 07:55, doc. Mgr. Jaroslav Hnilica, Ph.D.
V originále
V rámci řešení projektu TAČR jsme vyvinuli zařízení pro zvýšení depoziční rychlosti HiPIMSu použitím balíčků pulzů. Změřené parametry plazmatu prokázali, že zařízení je schopné zdvojnásobit depoziční rychlosti při zachování ionizačního stupně rozprášených částic.
In English
As a part of the TAČR project, we have developed a device for deposition rate increase in HiPIMS using pulse packages. The measured plasma parameters showed that the device is capable to double the deposition rate while the ionization fraction of sputtered species remain the same.
Links
TN01000038, research and development project |
|