J 1997

Strain relaxation in high electron mobility Si 1-x Ge x/Si structures

LI, J.H. and Václav HOLÝ

Basic information

Original name

Strain relaxation in high electron mobility Si 1-x Ge x/Si structures

Authors

LI, J.H. and Václav HOLÝ

Edition

J. Appl. Phys. 1997, 0021-8979

Other information

Language

English

Type of outcome

Článek v odborném periodiku

Field of Study

10302 Condensed matter physics

Country of publisher

United States of America

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impact factor

Impact factor: 1.630

RIV identification code

RIV/00216224:14310/97:00000552

Organization unit

Faculty of Science
Změněno: 20/3/2000 07:08, prof. RNDr. Václav Holý, CSc.

Links

MSM 143100002, plan (intention)
Name: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical properties of new materials and layered structures
Displayed: 8/11/2024 16:43