1998
Highly regular self-organization of step bunches during growth of SiGe on Si(113)
DARHUBER, A.A.; Václav HOLÝ; J. STANGL; Petr MIKULÍK; K. BRUNNER et. al.Základní údaje
Originální název
Highly regular self-organization of step bunches during growth of SiGe on Si(113)
Autoři
DARHUBER, A.A. (276 Německo); Václav HOLÝ (203 Česká republika); J. STANGL (276 Německo); Petr MIKULÍK (203 Česká republika, garant); K. BRUNNER (276 Německo); G. ABSTREITER (276 Německo) a G. BAUER (276 Německo)
Vydání
Appl. Phys. Lett. USA, Institute of Physics, 1998, 0003-6951
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 3.349
Kód RIV
RIV/00216224:14310/98:00000031
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova česky
self-organizace; SiGe; rtg difrakce
Klíčová slova anglicky
self-organization of step bunches; growth; SiGe; x-ray diffraction
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 15. 1. 2010 15:10, doc. RNDr. Petr Mikulík, Ph.D.
Návaznosti
| GA202/97/0003, projekt VaV |
|