J
1999
Thermal stability of amorphous Nb/Si multilayers studied by x-ray reflection
BOCHNÍČEK, Zdeněk, Ivo VÁVRA a Václav HOLÝ
Základní údaje
Originální název
Thermal stability of amorphous Nb/Si multilayers studied by x-ray reflection
Vydání
Bulletin Krystalografické společnosti Materials Structure, 1999, 1211-5895
Další údaje
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/99:00003503
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky
thermal stability; mutlilayers; x-ray reflection
V originále
The thermal stability was studied in temperature range from 150C up to 350C. It has been found, that interdifusion causes the interface shift without lost of interface sharpness. The diffusion model has been suggested that is based on enhanced diffusion of Si into Nb component of the multilayer.
Návaznosti
| GA202/98/0569, projekt VaV | | Název: Sledování teplotní stability vrstevnatých systémů vysokorozlišujícími metodami rtg difrakce a optické reflexe rtg záření při žíhání in situ | | Investor: Grantová agentura ČR, Sledování teplotní stability vrstevnatých systémů vysokorozlišujícími metodami rtg difrakce a optické reflexe rtg záření při žíhání in situ |
|
Zobrazeno: 2. 11. 2024 11:12