Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe

OHLÍDAL, Ivan, Petr KLAPETEK a Daniel FRANTA. Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe. Československý časopis pro fyziku. Praha: Fyzikální ústav AV ČR, 2003, roč. 53, č. 2, s. 97-100. ISSN 0009-0700.

Základní údaje

• Originální název: Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe
• Název anglicky: Application of Atomic Force Microscopy for Analysis of ZnSe and ZnTe Thin Films
• Autoři: OHLÍDAL, Ivan (203 Česká republika, garant), Petr KLAPETEK (203 Česká republika) a Daniel FRANTA (203 Česká republika).
• Vydání: Československý časopis pro fyziku, Praha, Fyzikální ústav AV ČR, 2003, 0009-0700.

Další údaje

• Originální jazyk: čeština
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Česká republika
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/03:00008098
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Klíčová slova anglicky: AFM; ZnSe; ZnTe
• Štítky: AFM, ZnSe, ZnTe

Anotace

Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelectroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve struktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budemme presentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxe na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvalitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, že u vrstev ZnTe jsou jejich horní rozhraní komplikovanějšího charakteru než u vrstev ZnSe. Kvantitativní charakterizace morfologie horních rozraní vrstev ZnTe provedená na základě snímků AFM bude rovněž prezentována.

Anotace anglicky

Semiconductor layer ..

Návaznosti

• GA101/01/1104, projekt VaV: Název: Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie

Investor: Grantová agentura ČR, Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie

• GA202/01/1110, projekt VaV: Název: Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou

Investor: Grantová agentura ČR, Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou