OHLÍDAL, Ivan, Petr KLAPETEK and Daniel FRANTA. Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe (Application of Atomic Force Microscopy for Analysis of ZnSe and ZnTe Thin Films). Československý časopis pro fyziku. Praha: Fyzikální ústav AV ČR, 2003, vol. 53, No 2, p. 97-100. ISSN 0009-0700.
Other formats:   BibTeX LaTeX RIS
Basic information
Original name Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe
Name (in English) Application of Atomic Force Microscopy for Analysis of ZnSe and ZnTe Thin Films
Authors OHLÍDAL, Ivan (203 Czech Republic, guarantor), Petr KLAPETEK (203 Czech Republic) and Daniel FRANTA (203 Czech Republic).
Edition Československý časopis pro fyziku, Praha, Fyzikální ústav AV ČR, 2003, 0009-0700.
Other information
Original language Czech
Type of outcome Article in a journal
Field of Study 10302 Condensed matter physics
Country of publisher Czech Republic
Confidentiality degree is not subject to a state or trade secret
WWW URL
RIV identification code RIV/00216224:14310/03:00008098
Organization unit Faculty of Science
Keywords in English AFM; ZnSe; ZnTe
Tags AFM, ZnSe, ZnTe
Changed by Changed by: Mgr. Daniel Franta, Ph.D., učo 2000. Changed: 25/12/2003 01:15.
Abstract
Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelectroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve struktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budemme presentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxe na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvalitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, že u vrstev ZnTe jsou jejich horní rozhraní komplikovanějšího charakteru než u vrstev ZnSe. Kvantitativní charakterizace morfologie horních rozraní vrstev ZnTe provedená na základě snímků AFM bude rovněž prezentována.
Abstract (in English)
Semiconductor layer ..
Links
GA101/01/1104, research and development projectName: Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie
Investor: Czech Science Foundation, Realisation of thelaboratory instrument for surface roughness measurement by holographic interferometry
GA202/01/1110, research and development projectName: Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou
Investor: Czech Science Foundation, Optical and mechanical properties of DLC : Si thin films prepared by the PECVD method
PrintDisplayed: 25/8/2024 04:11