Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev
ZnSe a ZnTe

J 2003

Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe

OHLÍDAL, Ivan, Petr KLAPETEK and Daniel FRANTA

Basic information

Original name

Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe

Name (in English)

Application of Atomic Force Microscopy for Analysis of ZnSe and ZnTe Thin Films

Authors

OHLÍDAL, Ivan (203 Czech Republic, guarantor), Petr KLAPETEK (203 Czech Republic) and Daniel FRANTA (203 Czech Republic)

Edition

Československý časopis pro fyziku, Praha, Fyzikální ústav AV ČR, 2003, 0009-0700

Other information

Language

Czech

Type of outcome

Článek v odborném periodiku

Field of Study

10302 Condensed matter physics

Country of publisher

Czech Republic

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

References:

URL

RIV identification code

RIV/00216224:14310/03:00008098

Organization unit

Faculty of Science

Keywords in English

AFM; ZnSe; ZnTe

Abstract

ORIG EN

V originále

Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelectroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve struktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budemme presentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxe na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvalitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, že u vrstev ZnTe jsou jejich horní rozhraní komplikovanějšího charakteru než u vrstev ZnSe. Kvantitativní charakterizace morfologie horních rozraní vrstev ZnTe provedená na základě snímků AFM bude rovněž prezentována.

In English

Semiconductor layer ..

Links

GA101/01/1104, research and development project

Name: Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie

Investor: Czech Science Foundation, Realisation of thelaboratory instrument for surface roughness measurement by holographic interferometry

GA202/01/1110, research and development project

Name: Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou

Investor: Czech Science Foundation, Optical and mechanical properties of DLC : Si thin films prepared by the PECVD method

Citovat

OHLÍDAL, Ivan, Petr KLAPETEK and Daniel FRANTA. Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe (Application of Atomic Force Microscopy for Analysis of ZnSe and ZnTe Thin Films). Československý časopis pro fyziku. Praha: Fyzikální ústav AV ČR, 2003, vol. 53, No 2, p. 97-100. ISSN 0009-0700.

@article{487577,
   author = {Ohlídal, Ivan and Klapetek, Petr and Franta, Daniel},
   article_location = {Praha},
   article_number = {2},
   keywords = {AFM; ZnSe; ZnTe},
   language = {cze},
   issn = {0009-0700},
   journal = {Československý časopis pro fyziku},
   title = {Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe},
   url = {http://hydra.physics.muni.cz/~franta/bib/CCF53_97.html},
   volume = {53},
   year = {2003}
}

TY  - JOUR
ID  - 487577
AU  - Ohlídal, Ivan - Klapetek, Petr - Franta, Daniel
PY  - 2003
TI  - Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe
JF  - Československý časopis pro fyziku
VL  - 53
IS  - 2
SP  - 97-100
EP  - 97-100
PB  - Fyzikální ústav AV ČR
SN  - 00090700
KW  - AFM
KW  - ZnSe
KW  - ZnTe
UR  - http://hydra.physics.muni.cz/~franta/bib/CCF53_97.html
N2  - Vrstvy polovodičů II-VI hrají významnou roli v oblasti mikroelectroniky a optometrie. Zvláště pak vrstvy ZnSe a ZnTe jsou v praxi aplikovány velmi často. Při těchto aplikacích je většinou vyžadována jejich vysoká kvalita. Proto je nutné mít k dispozici analytické metody umožňující posuzovat kvalitu vrstev ZnSe a ZnTe. Ukazuje se, že metoda mikroskopie atomové síly (AFM) patří mezi ty metody, pomocí nichž lze efektivně studovat defekty ve struktuře zmíněných vrstev. V tomto příspěvku budemme presentovat výsledky týkající se aplikace metody AFM při charakterizaci horních rozhraní tenkých vrstev ZnTe a ZnSe připravených metodou molekulové epitaxe na podložky z monokrystalu GaAs. Ukážeme, že v případě vrstev ZnSe jsou jejich horní rozhraní náhodně drsná a že jsou zároveň pokryta mikroskopickými objekty. Navíc bude provedena kvantitativní analýza drsnosti rozhraní vrstev ZnSe. Do výpočtu kvalitativních charakteristik drsnosti budou zahrnuty i zmíněné objekty, které jsou tvořeny amorfním GaO. Dále ukážeme, že u vrstev ZnTe jsou jejich horní rozhraní komplikovanějšího charakteru než u vrstev ZnSe. Kvantitativní charakterizace morfologie horních rozraní vrstev ZnTe provedená na základě snímků AFM bude rovněž prezentována.
ER  -

OHLÍDAL, Ivan, Petr KLAPETEK and Daniel FRANTA. Aplikace mikroskopie atomové síly při analýze tenkých vrstev ZnSe a ZnTe (Application of Atomic Force Microscopy for Analysis of ZnSe and ZnTe Thin Films). \textit{Československý časopis pro fyziku}. Praha: Fyzikální ústav AV ČR, 2003, vol.~53, No~2, p.~97-100. ISSN~0009-0700.

Detailed Information on Publication Record