Srovnání snímků NSOM a AFM při studiu vybraných objektů
KLAPETEK, Petr and Ivan OHLÍDAL. Srovnání snímků NSOM a AFM při studiu vybraných objektů (Comparison of NSOM and AFM images of chosen samples). Československý časopis pro fyziku. Praha: Fyzikální ústav AV ČR, 2003, vol. 47, 6-7s, p. 79-81. ISSN 0009-0700. |
Other formats:
BibTeX
LaTeX
RIS
|
Basic information | |
---|---|
Original name | Srovnání snímků NSOM a AFM při studiu vybraných objektů |
Name (in English) | Comparison of NSOM and AFM images of chosen samples |
Authors | KLAPETEK, Petr (203 Czech Republic, guarantor) and Ivan OHLÍDAL (203 Czech Republic). |
Edition | Československý časopis pro fyziku, Praha, Fyzikální ústav AV ČR, 2003, 0009-0700. |
Other information | |
---|---|
Original language | Czech |
Type of outcome | Article in a journal |
Field of Study | 10302 Condensed matter physics |
Country of publisher | Czech Republic |
Confidentiality degree | is not subject to a state or trade secret |
RIV identification code | RIV/00216224:14310/03:00008191 |
Organization unit | Faculty of Science |
Keywords in English | NSOM; AFM |
Tags | AFM, NSOM |
Changed by | Changed by: Mgr. Petr Klapetek, Ph.D., učo 11111. Changed: 30/9/2003 09:15. |
Abstract |
---|
V příspěvku je diskutována problematika defektů snímků optické mikroskopie v blízkém poli vzniklých vlivem topografie povrchů. |
Abstract (in English) |
---|
In this article artifacts in near-field scanning optical microscopy are shown and their origin due to topography irregularities is demonstrated. |
Links | |
---|---|
GA101/01/1104, research and development project | Name: Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie |
Investor: Czech Science Foundation, Realisation of thelaboratory instrument for surface roughness measurement by holographic interferometry | |
GA202/01/1110, research and development project | Name: Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou |
Investor: Czech Science Foundation, Optical and mechanical properties of DLC : Si thin films prepared by the PECVD method |
PrintDisplayed: 31/8/2024 12:18