J 2004

Optical Properties of Diamond-Like Carbon Films Containing SiOx Studied by the Combined Method of Spectroscopic Ellipsometry and Spectroscopic Reflectometry

FRANTA, Daniel, Ivan OHLÍDAL, Vilma BURŠÍKOVÁ and Lenka ZAJÍČKOVÁ

Basic information

Original name

Optical Properties of Diamond-Like Carbon Films Containing SiOx Studied by the Combined Method of Spectroscopic Ellipsometry and Spectroscopic Reflectometry

Name in Czech

Optické vlastnosti diamantu podobných uhlíkových vrstev obsahujících SiOx studované kombinovanou optickou metodou spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie

Authors

FRANTA, Daniel (203 Czech Republic, guarantor), Ivan OHLÍDAL (203 Czech Republic), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Czech Republic) and Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Czech Republic)

Edition

Thin Solid Films, Oxford, UK, Elsevier science, 2004, 0040-6090

Other information

Language

English

Type of outcome

Článek v odborném periodiku

Field of Study

10302 Condensed matter physics

Country of publisher

United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

References:

Impact factor

Impact factor: 1.647

RIV identification code

RIV/00216224:14310/04:00010137

Organization unit

Faculty of Science

UT WoS

000185308900015

Keywords in English

Ellipsometry; Reflection; Optical properties; Amorphous materials
Změněno: 16/2/2005 17:55, prof. RNDr. Ivan Ohlídal, DrSc.

Abstract

V originále

In this paper the results of the study of the optical properties of diamond like carbon films with different amount of SiOx prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition from a mixture of metane and hexamethyldisiloxane onto silicon substrates will be presented. These results have been obtained using the combined method based on a simultaneous interpretation of experimental data achieved with variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry within the near-UV and visible regions. For interpreting the experimental data our new dispersion model of the optical constants based on the parameterization of the density of electronic states has been employed. Within this model the new analytical three parameter dispersion formula has been derived. These three parameters are proportional to the pi and sigma valence electron densities.

In Czech

V článku budou uvedeny výsledky studia optických vlastností diamantu podobných uhlíkových vrstev s různým množstvím SiOx připravených plasmově podporovanou chemickou deposicí ze směsi metanu a hexamethyldisiloxanu na křemíkové podložky. Tyto výsledky jsou dosaženy pomocí kombinované metody založené na současné interpretaci experimentálních dat obdržených pomocí úhlově proměnné spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie aplikované při téměř kolmém dopadu světla v blízké ultrafialové a viditelné oblasti spektra. Pro interpretaci experimentálních dat byl využit náš nový dispersní model optických konstant založený na parametrizaci hustoty elektronových stavů. V rámci tohoto modelu je odvozena nová analytická tříparametrická dispersní formule. Tyto tři parametry jsou úměrné hustotám pí a sigma valenčních elektronů.

Links

GA202/01/1110, research and development project
Name: Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou
Investor: Czech Science Foundation, Optical and mechanical properties of DLC : Si thin films prepared by the PECVD method
GA202/98/0988, research and development project
Name: Charakterizace vrstevnatých systémů s náhodně drsnými rozhraními pomocí optických a rtg metod
Investor: Czech Science Foundation, Characterization of multilayer systems with randomly rough boundaries by means of optical and X - ray methods
MSM 143100003, plan (intention)
Name: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Study of plasmachemical reactions in non-isothermic low pressure plasma and its interaction with the surface of solid substrates