Detailed Information on Publication Record
2004
Complete Characterization of Rough Polymorphous Silicon Films by Atomic Force Microscopy and the Combined Method of Spectroscopic Ellipsometry and Spectroscopic Reflectometry
FRANTA, Daniel, Ivan OHLÍDAL, Petr KLAPETEK and Pere ROCA I CABARROCASBasic information
Original name
Complete Characterization of Rough Polymorphous Silicon Films by Atomic Force Microscopy and the Combined Method of Spectroscopic Ellipsometry and Spectroscopic Reflectometry
Name in Czech
Úplná charakterizace drsných polymorfních křemíkových vrstev pomocí mikroskopie atomové síly a kombinované metody spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie
Authors
FRANTA, Daniel (203 Czech Republic, guarantor), Ivan OHLÍDAL (203 Czech Republic), Petr KLAPETEK (203 Czech Republic) and Pere ROCA I CABARROCAS (250 France)
Edition
Thin Solid Films, Oxford, UK, Elsevier science, 2004, 0040-6090
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
References:
Impact factor
Impact factor: 1.647
RIV identification code
RIV/00216224:14310/04:00010139
Organization unit
Faculty of Science
UT WoS
000221690000071
Keywords in English
Ellipsometry; Reflection; Optical properties; Polymorphous materials
Změněno: 3/2/2006 17:50, Mgr. Daniel Franta, Ph.D.
V originále
In this paper the results of the complete characterization of hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H) films deposited onto silicon single crystal substrates performed by atomic force microscopy (AFM) and the combined method of spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry are presented. This combined method is applied in the multi-sample modification. The experimental data are measured within the near-UV, visible and near-IR regions (190-1000 nm). For treating the experimental data the dispersion model recently formulated for amorphous chalcogenide films is employed. This model is based on the parameterization of the density of electronic states. Moreover, for the treatment of the experimental data the structural model containing the defects, i.e. roughness of the upper boundaries of the films, overlayers, transition layers and refractive index profile inhomogeneity, is employed. The results of the characterization consist of the determination of the spectral dependences of the optical constants of the pm-Si:H films and the values of the parameters describing the defects of these films.
In Czech
V článku jsou uvedeny výsledky týkající se úplné charakterizace hydrogenovaných polymorfních křemíkových (pm-Si:H) vrstev deponovaných na podložky z monokrystalického křemíku získané pomocí mikroskopie atomové síly (AFM) a kombinované metody spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie. Tato kombinovaná metoda je aplikována ve formě vícevzorkové modifikace. Experimentální data jsou měřena v rámci blízké ultrafialové, viditelné a blízké infračervené oblasti (190-1000 nm). Pro zpracování experimentálních dat je využit dispersní model nedávno formulovaný pro amorfní chalkogenidové vrstvy. Tento model je založen na parametrizaci hustoty stavů elektronů. Navíc je využit pro zpracování experimentálních dat strukturní model obsahující defekty, tj. drsnost horních rozhraní vrstev, povrchové vrstvy, přechodové mezivrstvy a profil indexu lomu. Výsledky charakterizace se sestávají z určení spektrálních závislostí optických konstant p-m:Si vrstev a hodnot parametrů popisujících defekty těchto vrstev.
Links
| GA101/01/1104, research and development project |
| ||
| GA202/98/0988, research and development project |
| ||
| MSM 143100003, plan (intention) |
|