Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy

FRANTA, Daniel, Ivan OHLÍDAL, Petr KLAPETEK and Miloslav OHLÍDAL. Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy. Surface and Interface Analysis. USA: John Wiley & Sons., 2004, vol. 36, No 8, p. 1203-1206. ISSN 0142-2421.

Basic information

• Original name: Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy
• Name in Czech: Charakterizace tenkých oxidových vrstev na GaAs podložkách pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly
• Authors: FRANTA, Daniel (203 Czech Republic, guarantor), Ivan OHLÍDAL (203 Czech Republic), Petr KLAPETEK (203 Czech Republic) and Miloslav OHLÍDAL (203 Czech Republic).
• Edition: Surface and Interface Analysis, USA, John Wiley & Sons. 2004, 0142-2421.

Other information

• Original language: English
• Type of outcome: Article in a journal
• Field of Study: 10302 Condensed matter physics
• Country of publisher: United States of America
• Confidentiality degree: is not subject to a state or trade secret
• WWW: URL
• Impact factor: Impact factor: 1.209
• RIV identification code: RIV/00216224:14310/04:00010692
• Organization unit: Faculty of Science
• UT WoS: 000223652500136
• Keywords in English: THERMAL-OXIDATION; ROUGH BOUNDARIES; LAYERS
• Tags: LAYERS, rough boundaries, THERMAL-OXIDATION

Abstract

In this paper the results of optical and atomic force microscopy characterization of oxide thin films prepared by thermal oxidation of GaAs single crystal wafers at a temperature of 500degreesC in air are presented. The optical characterization is performed using multi-sample modification of the method based on combining variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry. It is shown that the films exhibit the rough lower boundaries and refractive index profile inhomogeneities. The spectral dependences of the refractive index and extinction coefficient of these films are presented within the wide spectral region, i.e., 210-900 nm. The values of the thicknesses and roughness parameters characterizing the oxide films are introduced as well.

Abstract (in Czech)

V tomto článku jsou uvedeny výsledky charakterizace tenkých oxidových vrstev připravených na podložkách z monokrystalu GaAs jejich termickou oxidací při teplotě 500o C ve vzduchu. Charakterizace je realizována pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly. Optická charakterizace je provedena využitím vícevzorkové modifikace metody založené na kombinaci víceúhlové spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie aplikované při téměř kolmém dopadu světla. Je ukázáno, že vrstvy vykazují drsná spodní rozhraní a profil indexu lomu. Spektrální závislosti indexu lomu a extinkčního koeficientu těchto vrstev jsou presentovány v široké spektrální oblasti, tj. v oblasti 210-900 nm. Hodnoty tlouštěk a parametrů drsnosti charakterizující oxidové vrstvy jsou také uvedeny.

Links

• GA101/01/1104, research and development project: Name: Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie

Investor: Czech Science Foundation, Realisation of thelaboratory instrument for surface roughness measurement by holographic interferometry

• MSM 143100003, plan (intention): Name: Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek

Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Study of plasmachemical reactions in non-isothermic low pressure plasma and its interaction with the surface of solid substrates