Detailed Information on Publication Record
2004
Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy
FRANTA, Daniel, Ivan OHLÍDAL, Petr KLAPETEK and Miloslav OHLÍDALBasic information
Original name
Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy
Name in Czech
Charakterizace tenkých oxidových vrstev na GaAs podložkách pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly
Authors
FRANTA, Daniel (203 Czech Republic, guarantor), Ivan OHLÍDAL (203 Czech Republic), Petr KLAPETEK (203 Czech Republic) and Miloslav OHLÍDAL (203 Czech Republic)
Edition
Surface and Interface Analysis, USA, John Wiley & Sons. 2004, 0142-2421
Other information
Language
English
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
United States of America
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
References:
Impact factor
Impact factor: 1.209
RIV identification code
RIV/00216224:14310/04:00010692
Organization unit
Faculty of Science
UT WoS
000223652500136
Keywords in English
THERMAL-OXIDATION; ROUGH BOUNDARIES; LAYERS
Změněno: 3/2/2006 17:51, Mgr. Daniel Franta, Ph.D.
V originále
In this paper the results of optical and atomic force microscopy characterization of oxide thin films prepared by thermal oxidation of GaAs single crystal wafers at a temperature of 500degreesC in air are presented. The optical characterization is performed using multi-sample modification of the method based on combining variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry. It is shown that the films exhibit the rough lower boundaries and refractive index profile inhomogeneities. The spectral dependences of the refractive index and extinction coefficient of these films are presented within the wide spectral region, i.e., 210-900 nm. The values of the thicknesses and roughness parameters characterizing the oxide films are introduced as well.
In Czech
V tomto článku jsou uvedeny výsledky charakterizace tenkých oxidových vrstev připravených na podložkách z monokrystalu GaAs jejich termickou oxidací při teplotě 500o C ve vzduchu. Charakterizace je realizována pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly. Optická charakterizace je provedena využitím vícevzorkové modifikace metody založené na kombinaci víceúhlové spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie aplikované při téměř kolmém dopadu světla. Je ukázáno, že vrstvy vykazují drsná spodní rozhraní a profil indexu lomu. Spektrální závislosti indexu lomu a extinkčního koeficientu těchto vrstev jsou presentovány v široké spektrální oblasti, tj. v oblasti 210-900 nm. Hodnoty tlouštěk a parametrů drsnosti charakterizující oxidové vrstvy jsou také uvedeny.
Links
| GA101/01/1104, research and development project |
| ||
| MSM 143100003, plan (intention) |
|