Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation

KLAPETEK, Petr, Ivan OHLÍDAL and Karel NAVRÁTIL. Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation. Microchimica Acta. Wien: Springer-Verlag, 2004, vol. 147, No 3, p. 175-180. ISSN 0026-3672.

Basic information

• Original name: Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation
• Name in Czech: Analýza statistické drsnosti povrchů GaAs vzniklých termickou oxidací pomocí mikroskopie atomové síly
• Authors: KLAPETEK, Petr (203 Czech Republic), Ivan OHLÍDAL (203 Czech Republic, guarantor) and Karel NAVRÁTIL (203 Czech Republic).
• Edition: Microchimica Acta, Wien, Springer-Verlag, 2004, 0026-3672.

Other information

• Original language: English
• Type of outcome: Article in a journal
• Field of Study: 10302 Condensed matter physics
• Country of publisher: Austria
• Confidentiality degree: is not subject to a state or trade secret
• Impact factor: Impact factor: 1.050 in 2001
• RIV identification code: RIV/00216224:14310/04:00011769
• Organization unit: Faculty of Science
• UT WoS: 000222214000008
• Keywords in English: THIN-FILMS; OPTICAL-PROPERTIES; OXIDE FILM; TIO2; BOUNDARIES; INTERFACE; SINGLE; LAYERS
• Tags: boundaries, interface, LAYERS, OPTICAL-PROPERTIES, OXIDE FILM, single, THIN-FILMS, TIO2
• Tags: International impact, Reviewed

Abstract

We have determined the important statistical quantities of the rough boundary between a GaAs single crystal and its oxide film formed by thermal oxidation. Thermal oxidation of the GaAs surfaces was performed at the temperature of 500 degreesC. Using mathematical procedures developed for treating AFM data consisting of a family of the values of the heights of the irregularities of this roughness the values of the important statistical quantities of roughness were determined for 11 samples of the GaAs surfaces created by dissolution of the thermal oxide films originated during thermal oxidation of the smooth GaAs samples (the times of oxidation of these 11 samples were within interval of 20 min-8 hours). From the AFM analysis of the roughness of GaAs surfaces it was found that the roughnening of these surfaces was the most pronounced for shorter oxidation times, i.e. for times smaller than about 2 hours.

Abstract (in Czech)

Určili jsme významné statistické veličiny drsných povrchů monokrystalů GaAs vzniklých termickou oxidací. Termická oxidace těchto povrchů byla provedena při teplotě 500 C. Pomocí matematického postupu vyvinutého pro zpracování dat mikroskopie atomové síly byly určeny hodnoty významných statistických veličin zpracováním množiny hodnot výšek nerovností pro 11 vzorků povrchů GaAs připravených rozpuštěním vrstev termických oxidů vzniklých hladkých povrchů GaAs pro různé oxidační časy (interval oxidačních časů byl 20 minut až 8 hodin). Z analýzy provedené mikroskopií atomové síly jsme zjistili, že drsnost povrchů GaAs je výrazná pro kratší oxidační časy, tj. pro časy menší nebo okolo 2 hodin.

Links

• GA101/01/1104, research and development project: Name: Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie

Investor: Czech Science Foundation, Realisation of thelaboratory instrument for surface roughness measurement by holographic interferometry

• GA202/01/1110, research and development project: Name: Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou

Investor: Czech Science Foundation, Optical and mechanical properties of DLC : Si thin films prepared by the PECVD method

• MSM 143100002, plan (intention): Name: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur

Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical properties of new materials and layered structures