J
2004
Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation
KLAPETEK, Petr, Ivan OHLÍDAL and Karel NAVRÁTIL
Basic information
Original name
Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation
Name in Czech
Analýza statistické drsnosti povrchů GaAs vzniklých termickou oxidací pomocí mikroskopie atomové síly
Edition
Microchimica Acta, Wien, Springer-Verlag, 2004, 0026-3672
Other information
Type of outcome
Článek v odborném periodiku
Field of Study
10302 Condensed matter physics
Country of publisher
Austria
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impact factor
Impact factor: 1.050 in 2001
RIV identification code
RIV/00216224:14310/04:00011769
Organization unit
Faculty of Science
Keywords in English
THIN-FILMS; OPTICAL-PROPERTIES; OXIDE FILM; TIO2; BOUNDARIES; INTERFACE; SINGLE; LAYERS
Tags
International impact, Reviewed
V originále
We have determined the important statistical quantities of the rough boundary between a GaAs single crystal and its oxide film formed by thermal oxidation. Thermal oxidation of the GaAs surfaces was performed at the temperature of 500 degreesC. Using mathematical procedures developed for treating AFM data consisting of a family of the values of the heights of the irregularities of this roughness the values of the important statistical quantities of roughness were determined for 11 samples of the GaAs surfaces created by dissolution of the thermal oxide films originated during thermal oxidation of the smooth GaAs samples (the times of oxidation of these 11 samples were within interval of 20 min-8 hours). From the AFM analysis of the roughness of GaAs surfaces it was found that the roughnening of these surfaces was the most pronounced for shorter oxidation times, i.e. for times smaller than about 2 hours.
In Czech
Určili jsme významné statistické veličiny drsných povrchů monokrystalů GaAs vzniklých termickou oxidací. Termická oxidace těchto povrchů byla provedena při teplotě 500 C. Pomocí matematického postupu vyvinutého pro zpracování dat mikroskopie atomové síly byly určeny hodnoty významných statistických veličin zpracováním množiny hodnot výšek nerovností pro 11 vzorků povrchů GaAs připravených rozpuštěním vrstev termických oxidů vzniklých hladkých povrchů GaAs pro různé oxidační časy (interval oxidačních časů byl 20 minut až 8 hodin). Z analýzy provedené mikroskopií atomové síly jsme zjistili, že drsnost povrchů GaAs je výrazná pro kratší oxidační časy, tj. pro časy menší nebo okolo 2 hodin.
Links
| GA101/01/1104, research and development project | | Name: Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie | | Investor: Czech Science Foundation, Realisation of thelaboratory instrument for surface roughness measurement by holographic interferometry |
|
| GA202/01/1110, research and development project | | Name: Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou | | Investor: Czech Science Foundation, Optical and mechanical properties of DLC : Si thin films prepared by the PECVD method |
|
| MSM 143100002, plan (intention) | | Name: Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur | | Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical properties of new materials and layered structures |
|
Displayed: 1/11/2024 06:07