Detailed Information on Publication Record
2005
Electrical Properties of SiOxHyCz Coatings Prepared by PECVD
FRANCLOVÁ, Jana, Zuzana KUČEROVÁ and Vilma BURŠÍKOVÁBasic information
Original name
Electrical Properties of SiOxHyCz Coatings Prepared by PECVD
Name in Czech
Elektrické vlastnosti vrstev SiOxHyCz připravených PECVD
Authors
FRANCLOVÁ, Jana (203 Czech Republic, guarantor), Zuzana KUČEROVÁ (203 Czech Republic) and Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Czech Republic)
Edition
Bratislava, 15th Symposium on Aplications of Plasma Processes, p. 161-162, 2 pp. 2005
Publisher
Comenius University Press
Other information
Language
English
Type of outcome
Stať ve sborníku
Field of Study
10305 Fluids and plasma physics
Country of publisher
Slovakia
Confidentiality degree
není předmětem státního či obchodního tajemství
RIV identification code
RIV/00216224:14310/05:00013586
Organization unit
Faculty of Science
ISBN
80-223-2018-8
Keywords in English
thin films; electrical properties
Změněno: 16/11/2006 21:24, Mgr. Jana Meixnerová, Ph.D.
V originále
It is well known that MIM structures exhibit various high-field processes, which may be either electrode-limited (e.g. tunneling, Schottky-barrier emission) or bulk-limited (e.g. space-charge-limited conduction, Poole-Frenkel conduction) [1]. Thin films prepared using PECVD exhibited Pool-Frenkel conductivity at lower voltages and tunnelling at higher voltages. This behaviour was indicated by a linear dependence of lnI on U1/2 or lnI on 1/U, where I is the current and U is the applied voltage.
In Czech
U MIM struktur můžeme pozorovat dva druhy elektrické vodivosti, které můžou být buď limitované elektrodami (Schottyho amise, tunelování) a nebo procesy zapřičiněné objemovými procesy v dielektriku (Poole-Frenkelova vodivost). Vrsvy připravené PECVD vykazují Poole-Frenkelovu vodivost při nižších napětích a při vyšších vykazují tunelování.
Links
| MSM0021622411, plan (intention) |
|